| 发明名称 | 变容二极管及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供变容二极管及其制造方法。即公开了变容二极管和/或可变电容。所述变容二极管和/或可变电容包括：在衬底上垂直形成的多个第一导电型阱；在所述第一导电型阱中形成的多个第二导电型离子注入区；与第二导电型离子注入区电连接的至少一个第二导电型插塞；在最上方的第二导电型离子注入区的两侧形成的隔离区；和第一导电型离子注入区，其在最上方的第一导电型阱中，并且通过隔离区与所述最上方的第二导电型离子注入区电断开。 | ||
| 申请公布号 | CN101211988B | 申请公布日期 | 2010.10.13 |
| 申请号 | CN200710305311.9 | 申请日期 | 2007.12.26 |
| 申请人 | 东部高科股份有限公司 | 发明人 | 林秀 |
| 分类号 | H01L29/93(2006.01)I;H01L21/329(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/93(2006.01)I |
| 代理机构 | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人 | 冯志云 |
| 主权项 | 一种变容二极管，包括：在衬底上的多个垂直的第一导电型阱；在所述第一导电型阱中的多个第二导电型离子注入区；与相邻的第二导电型离子注入区电连接的至少一个第二导电型插塞；在最上方的第二导电型离子注入区的两侧的隔离区；和第一导电型高密度离子注入区，其在最上方的第一导电型阱中，并且通过至少一个所述隔离区与所述最上方的第二导电型离子注入区电断开。 | ||
| 地址 | 韩国首尔 | ||