| 主权项 |
一种具有高传导面积的积体电路封装体，包含：一积体电路晶片，具有一上表面及一下表面，且该上表面形成有一感光元件；一接合垫，形成于该积体电路晶片的该上表面上，且电性连接该感光元件；以及一导电层，形成于该积体电路晶片的侧壁上，且包覆该接合垫的一边缘，以电性连接该接合垫，其中该导电层同时接触该接合垫的上表面、侧壁及其部分之下表面，以包覆该接合垫的该边缘。如申请专利范围第1项所述之具有高传导面积的积体电路封装体，更包含一第一基板，对应地设置于该积体电路晶片的该上表面上。如申请专利范围第1项所述之具有高传导面积的积体电路封装体，更包含一保护层，形成于部分该接合垫的上表面上方。如申请专利范围第3项所述之具有高传导面积的积体电路封装体，更包含一胶材，形成于该积体电路晶片的该下表面及部分该接合垫的下表面上。如申请专利范围第3项所述之具有高传导面积的积体电路封装体，其中该保护层包含环氧树脂或聚醯亚胺树脂。如申请专利范围第4项所述之具有高传导面积的积体电路封装体，其中该胶材包含环氧树脂或聚醯亚胺树脂。如申请专利范围第1项所述之具有高传导面积的积体电路封装体，更包含一阻焊膜，形成于该导电层上，且暴露部分该导电层。如申请专利范围第7项所述之具有高传导面积的积体电路封装体，更包含一焊料球体，形成于该暴露之部分该导电层上。如申请专利范围第1项所述之具有高传导面积的积体电路封装体，其中该导电层包含铜、铝或镍。一种具有高传导面积之积体电路封装体的制作方法，包括：提供具有一上表面及一下表面的一积体电路晶片，且该上表面形成有一感光元件；形成一接合垫于该积体电路的该上表面上，且电性连接该感光元件；以及形成一导电层于该积体电路晶片的侧壁上，且包覆该接合垫的一边缘，以电性连接该接合垫，其中该导电层同时接触该接合垫的上表面、侧壁及其部分之下表面，以包覆该接合垫的该边缘。如申请专利范围第10项所述之具有高传导面积之积体电路封装体的制作方法，更包括对应地设置一第一基板于该积体电路晶片的上表面上。如申请专利范围第10项所述之具有高传导面积之积体电路封装体的制作方法，更包括覆盖一保护层于该接合垫的上方。如申请专利范围第12项所述之具有高传导面积之积体电路封装体的制作方法，更包括移除部分的该积体电路晶片，以暴露该接合垫的下表面。如申请专利范围第13项所述之具有高传导面积之积体电路封装体的制作方法，更包括藉由一胶材，贴附一第二基板于该积体电路晶片的该下表面上，其中该胶材覆盖该接合垫之暴露的下表面。如申请专利范围第14项所述之具有高传导面积之积体电路封装体的制作方法，更包括形成一凹槽，以暴露该保护层、该接合垫及该胶材的侧壁。如申请专利范围第15项所述之具有高传导面积之积体电路封装体的制作方法，其中在形成该凹槽之后，更包括进行移除部分该保护层及部分该胶材的步骤，以暴露该接合垫的部分上表面及下表面。如申请专利范围第16项所述之具有高传导面积之积体电路封装体的制作方法，其中移除部分该保护层及部分该胶材的步骤系由电浆蚀刻的方式完成。如申请专利范围第16项所述之具有高传导面积之积体电路封装体的制作方法，在移除部分该保护层及该胶材的步骤之后，更包括形成该导电层于该接合垫之暴露的上表面、侧壁及其下表面上，以包覆该接合垫的该边缘。如申请专利范围第10项所述之具有高传导面积之积体电路封装体的制作方法，更包括形成一焊料球体于该导电层上。 |
