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一种半导体矽基板用热处理模具，系为与半导体矽基板保持接触，搭载于直立式热处理炉之热处理舟皿之半导体矽基板用热处理模具，其特征在于：于该保持接触之区域形成方英石(cristobalite)化之具有许多龟裂之氧化膜。如申请专利范围第1项之半导体矽基板用热处理模具，其中该方英石化之氧化膜为含有经热处理之方英石化促进剂者。如申请专利范围第1项之半导体矽基板用热处理模具，其中方英石化促进剂为含有硷金属、硷土族金属、铝或过渡金属。如申请专利范围第2项之半导体矽基板用热处理模具，其中方英石化促进剂为含有硷金属、硷土族金属、铝或过渡金属。如申请专利范围第2或3项之半导体矽基板用热处理模具，其中导入于热处理模具的表面或表面附近之方石英化促进剂之浓度就面积换算为1×1010atoms/cm2以上。一种半导体矽基板用热处理模具，其特征在于：以如申请专利范围第1~5项中任一项的热处理模具、与遮蔽板所构成，该遮蔽板系可抑制起因于该方石英化之氧化膜所产生的粒子附着于半导体矽基板的直径大于该热处理模具者。一种半导体矽基板用热处理模具的制作方法，系如申请专利范围第2~5项中任一项的半导体矽基板用热处理模具的制作方法，其特征在于：使方石英化促进剂导入于热处理模具的表面或表面附近，在1000~1380℃之温度范围内施予热处理后，进一步，反覆该方石英化促进剂之导入及热处理。如申请专利范围第7项之半导体矽基板用热处理模具的制作方法，其中利用混入于热处理模具洗净用之药液中的杂质作为方石英化促进剂。一种半导体矽基板用热处理模具的制作方法，系如申请专利范围第8项之半导体矽基板用热处理模具的制作方法，其特征在于：使用氟化氢酸作为热处理模具洗净用之药液而洗净热处理模具时，使存在于热处理模具之表面的氧化膜之一部分残存。 |
