| 主权项 |
一种晶圆处理方法，包括下列步骤：藉由闪灯加热含氧矽晶圆；以及在藉由闪灯加热该矽晶圆之同时，对该矽晶圆照射其波长范围介于7至25 μ m的红外线雷射，以在该晶圆内形成氧沈淀物。如申请专利范围第1项之晶圆处理方法，复包括下列步骤：将该红外线雷射的照射强度设定为固定强度；藉由将该矽晶圆加热至第一温度并以该固定强度对该矽晶圆照射红外线雷射，来增加该矽晶圆之该雷射照射区内的氧沈淀物；以及藉由将该矽晶圆加热至较该第一温度高的第二温度并以该固定强度对该矽晶圆照射红外线雷射，来抑制氧沈淀物在该矽晶圆之该雷射照射区内的形成。如申请专利范围第1项之晶圆处理方法，复包括下列步骤：在该加热及照射红外线的步骤之前，先在该矽晶圆内以至少1×107/cm3之密度形成具有为10奈米等级之尺寸的初始氧沈淀物。如申请专利范围第1项之晶圆处理方法，复包括下列步骤：将该红外线雷射扫描至该矽晶圆上任意的一点。如申请专利范围第1项之晶圆处理方法，其中，系使用二氧化碳气体雷射作为该红外线雷射之来源。一种半导体装置制造方法，其包含下列步骤：藉由闪灯加热含氧矽晶圆；在藉由闪灯加热该矽晶圆之同时，对该矽晶圆照射其波长范围介于7至25 μ m的红外线雷射，以在该矽晶圆内形成氧沈淀物；以及在该矽晶圆上形成半导体元件。如申请专利范围第6项之半导体装置制造方法，其中，加热该矽晶圆及对该矽晶圆照射红外线雷射的步骤系在形成该半导体元件的步骤之前进行。如申请专利范围第6项之半导体装置制造方法，其中，形成该半导体元件的步骤包括形成闸极绝缘膜的步骤，而加热该矽晶圆及对该矽晶圆照射红外线雷射的步骤系在形成该闸极绝缘层的步骤之前进行。如申请专利范围第6项之半导体装置制造方法，其中，系使用二氧化碳气体雷射作为该红外线雷射之来源。如申请专利范围第6项之半导体装置制造方法，复包括下列步骤：将该红外线雷射的照射强度设定为固定强度；藉由将该矽晶圆加热至第一温度，并以该固定强度对该矽晶圆照射红外线雷射，来增加该矽晶圆之该雷射照射区内的氧沈淀物；以及藉由将该矽晶圆加热至较该第一温度高的第二温度，并以该固定强度对该矽晶圆照射红外线雷射，来抑制氧沈淀物在该矽晶圆之该雷射照射区内的形成。 |
