| 主权项 |
一种半导体装置的制造方法，包括：透过一接着片使一半导体元件暂时黏着在一被接着体上之一暂时黏着制程，不经过加热制程，进行打线接合之一打线接合制程，其特征在于该接着片的对该被接着体的暂时黏着时的剪切接着力为大于等于0.2MPa，该接着片由一丙烯酸酯树脂、一环氧树脂、一苯酚树脂及一交联剂形成，该环氧树脂与该苯酚树脂之掺合比例，对于该环氧树脂成分中之环氧基1当量，掺合该苯酚树脂中的羟基0.5~2.0当量，对于100重量份的该丙烯酸酯树脂，该环氧树脂与该苯酚树脂的混合量为100~200重量份，对于100重量份之该丙烯酸酯树脂，该交联剂的添加量是0.05~7重量份。如申请专利范围第1项所述之半导体装置的制造方法，其中该被接着体包括基板、引线框架或半导体元件。如申请专利范围第1项所述之半导体装置的制造方法，更包括由一封装树脂封装该半导体元件之一封装制程与进行该封装树脂之后硬化的一后硬化制程；其中在该封装制程及/或该后硬化制程中，藉由加热以硬化该封装树脂，同时藉由该接着片使该半导体元件与该被接着体黏着在一起。如申请专利范围第2项所述之半导体装置的制造方法，其中在该被接着体为半导体元件的情况下，包括在该半导体元件与该半导体元件之间，透过该接着片堆叠一间隔垫的一堆叠制程，该接着片的对该间隔垫或该半导体元件的暂时黏着时的剪切接着力为大于等于0.2MPa。如申请专利范围第4项所述之半导体装置的制造方法，其中在该封装制程及/或该后硬化制程中，利用加热使该封装树脂硬化，同时透过该接着片使该半导体元件与该间隔垫黏着在一起。如申请专利范围第1项所述之半导体装置的制造方法，其中该打线接合制程包括在80℃~250℃之温度中进行。一种接着片，系为在包括透过一接着片使一半导体元件暂时黏着在一被接着体上之一暂时黏着制程；以及不经过加热制程，进行打线接合之一打线接合制程的一半导体装置之制造方法中所使用之该接着片，其特征在于该接着片对该被接着体的暂时黏着时的剪切接着力为大于等于0.2MPa，该接着片由一丙烯酸酯树脂、一环氧树脂、一苯酚树脂及一交联剂形成，该环氧树脂与该苯酚树脂之掺合比例，对于该环氧树脂成分中之环氧基1当量，掺合该苯酚树脂中的羟基0.5~2.0当量，对于100重量份的该丙烯酸酯树脂，该环氧树脂与该苯酚树脂的混合量为100~200重量份，对于100重量份之该丙烯酸酯树脂，该交联剂的添加量是0.05~7重量份。一种半导体装置，系为由包括透过一接着片使一半导体元件暂时黏着在一被接着体上之一暂时黏着制程；以及不经过加热制程，进行打线接合之打线接合制程，其中所使用的上述接着片对被接着体的暂时黏着时的剪切接着力为大于等于0.2MPa的一半导体装置之制造方法所得到的半导体装置，该接着片由一丙烯酸酯树脂、一环氧树脂、一苯酚树脂及一交联剂形成，该环氧树脂与该苯酚树脂之掺合比例，对于该环氧树脂成分中之环氧基1当量，掺合该苯酚树脂中的羟基0.5~2.0当量，对于100重量份的该丙烯酸酯树脂，该环氧树脂与该苯酚树脂的混合量为100~200重量份，对于100重量份之该丙烯酸酯树脂，该交联剂的添加量是0.05~7重量份。 |
