发明名称 将芳香族化合物烷基化的方法
摘要
申请公布号 TWI331601 申请公布日期 2010.10.11
申请号 TW093136030 申请日期 2004.11.23
申请人 艾克颂美孚化学专利股份有限公司 发明人 维杰 南达
分类号 C07C2/66 主分类号 C07C2/66
代理机构 代理人 林志刚 台北市中山区南京东路2段125号7楼
主权项 一种以烷基化剂将芳香族烃反应物烷基化以制得经烷基化之芳香族产物的方法,该方法系包括:(a)将该芳香族烃反应物及该烷基化剂导入反应器单元内,该反应器单元含有多个连续排列之床,包括含有可将该芳香族烃反应物烷基化之第一触媒的第一床,及位于该第一床下游且含有可将该芳香族烃反应物烷基化且具有低于该第一触媒之催化活性的第二触媒之第二床;(b)于该第一床中在烷基化条件下,以该烷基化剂将该芳族烃反应物烷基化,形成包含单-烷基芳香族化合物、芳香族烃反应物之未反应部分及多烷基化之芳香族化合物的第一流出物,(c)于该第二床中在烷基化条件下,以该烷基化剂将存在于该流出物中之至少一部分该未反应之芳香族烃反应物烷基化,形成产物流出物,及(d)自该反应器单元取出该产物流出物,该产物流出物系包含单-烷基芳香族化合物、芳香族烃反应物之未反应部分及多烷基化之芳香族化合物。如申请专利范围第1项之方法,其中该反应区内之烷基化条件系包括该芳香族烃反应物处于气相之温度及压力条件。如申请专利范围第1项之方法,其中该芳香族烃反应物相对于该烷基化剂之莫耳比系约5至约25。如申请专利范围第1项之方法,其中该第一及第二触媒之分阶组合的老化速率系低于其各自任一触媒的老化速率。如申请专利范围第1项之方法,其中该第一触媒的α值大于该第二触媒之α值,其中该α值表示在538℃的固定温度下之相对于标准二氧化矽-氧化铝裂解触媒的活性之催化裂解活性。如申请专利范围第1项之方法,其中该第一触媒系具有约60至约200之α值,而该第二触媒系具有约20至约100之α值。如申请专利范围第1项之方法,其中该反应器单元系包括4至8个触媒床。如申请专利范围第1项之方法,其中该第一及第二触媒各包含相同之分子筛。如申请专利范围第1项之方法,其中该第一及第二触媒各具有小于一微米之晶体尺寸。如申请专利范围第1项之方法,其中该第一触媒系包含分子筛及二氧化矽黏合剂,而第二触媒系包含分子筛及氧化铝黏合剂。如申请专利范围第1项之方法,其中该芳香族烃反应物系包含苯,且该烷基化剂系包含乙烯。如申请专利范围第11项之方法,其中导入反应器单元之所有苯的至少65%系导入该反应器之第一床中。如申请专利范围第1项之方法,其中该第一触媒在第一床之操作条件下对于芳香族烃反应物之烷基化的活性系较第二触媒高出至少10%。如申请专利范围第13项之方法,其中该第一触媒在第一床之操作条件下对于芳香族烃反应物之烷基化的活性系较第二触媒高出至少25%。如申请专利范围第14项之方法,其中该第一触媒在第一床之操作条件下对于芳香族烃反应物之烷基化的活性系较第二触媒高出至少50%。如申请专利范围第15项之方法,其中该第一触媒在第一床之操作条件下对于芳香族烃反应物之烷基化的活性系较第二触媒高出至少100%。一种将苯气相乙基化之方法,其包括a)提供多阶烷基化反应区,其具有多个串联之触媒床,且至少一个串联触媒床含有包含沸石之第一烷基化触媒,至少一个后续触媒床含有包含沸石之第二烷基化触媒,该第一烷基化触媒对于苯之乙基化较第二烷基化触媒更为活性,b)将苯及乙烯导入该多阶烷基化反应区内;c)在苯系处于气相之温度及压力条件下操作该多阶烷基化反应区,使得苯于该第一及第二烷基化触媒存在下进行气相乙基化,制得包含乙基苯与多烷基化芳香族成份之烷基化产物;及d)自该多阶烷基化反应区取出该烷基化产物。如申请专利范围第17项之方法,其中该进料具有约5至约25之苯/乙烯莫耳比。如申请专利范围第17项之方法,其中该第一触媒中之沸石具有约5至约200之二氧化矽/氧化铝比例。如申请专利范围第17项之方法,其中该第二触媒中之沸石具有约5至约200之二氧化矽/氧化铝比例。如申请专利范围第17项之方法,其中该多阶烷基化反应区系包括4至8个触媒床。如申请专利范围第17项之方法,其中该第一及第二烷基化触媒各具有小于一微米之晶体尺寸。如申请专利范围第17项之方法,其中该第一烷基化触媒在反应区第一床之操作条件下对于苯之乙基化的活性系较第二烷基化触媒高出至少25%。如申请专利范围第23项之方法,其中该第一烷基化触媒在反应区第一床之操作条件下对于苯之乙基化的活性系较第二烷基化触媒高出至少50%。一种用于乙烯与苯之气相反应的方法,该方法包括:a)将苯及乙烯以苯对乙烯之莫耳比约5至约25导入多阶烷基化反应区内,该多阶烷基化反应区具有多个串联之触媒床,至少一个触媒床含有第一烷基化触媒,其包含与二氧化矽黏合剂结合之分子筛且具有约60至约200之α值;且至少一个后续触媒床含有第二烷基化触媒,其α值系约10至约60,其中该α值表示在538℃的固定温度下之相对于标准二氧化矽-氧化铝裂解触媒的活性之催化裂解活性;b)在苯处于气相之温度及压力条件下操作该烷基化多阶反应区之各阶段,以制得包含乙基苯与多烷基化芳香族成份之混合物的烷基化产物;c)自该多阶烷基化反应区取出该烷基化产物;d)自该烷基化产物分离出该多烷基化芳香族成份;及e)将至少一部分该多烷基化芳香族成份与苯一起提供至烷基转移反应区,该烷基转移反应区系于气相或液相在足以进行多烷基化芳香族部分之烷基转移反应的温度及压力条件下操作,以制得具有增加之乙基苯含量及降低之多烷基化芳香族成份含量的烷基转移反应产物。如申请专利范围第25项之方法,其中该反应区系包括4至8个触媒床。一种用于乙烯与苯之气相反应的方法,该方法包括:a)将苯及乙烯以苯对乙烯之莫耳比约5至约25导入多阶烷基化反应区内,该多阶烷基化反应区具有多个串联之触媒床,至少一个触媒床含有第一烷基化触媒,其包含与二氧化矽黏合剂结合之分子筛且具有约60至约200之α值;且至少一个后续触媒床含有第二烷基化触媒,其α值系约10至约60,其中该α值表示在538℃的固定温度下之相对于标准二氧化矽-氧化铝裂解触媒的活性之催化裂解活性;b)在苯处于气相之温度及压力条件下操作该烷基化多阶反应区之各阶段,以制得包含乙基苯与多烷基化芳香族成份之混合物的烷基化产物;c)自该多阶烷基化反应区取出该烷基化产物;d)自该烷基化产物分离该多烷基化芳香族成份;及e)将至少一部分该多烷基化芳香族成份送至(a)步骤之该烷基化反应区以进行该多烷基化芳香族部分之烷基转移反应,以制得具有增加之乙基苯含量及降低之多烷基化芳香族成份含量的烷基转移反应产物。如申请专利范围第27项之方法,其中该反应区系包括4至8个触媒床。
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