| 摘要 |
1. Газовый сенсор на основе гетероструктуры AlGaN/GaN, имеющий структуру транзистора с высокой подвижностью электронов (НЕМТ-транзистор), содержащий гетерогенную последовательность слоев полупроводников, представленных нитридами III группы, затвор, омические контакты, и механизм для измерения тока между омическими контактами, отличающийся тем, что гетероструктура дополнительно содержит над сапфировой подложкой слой AlN, компенсирующий рассогласование параметров кристаллической решетки подложки, слой AlGaN расположен между двумя градиентными слоями, один из которых представлен сверхрешеточным слоем AlN-AlGaN, а другой имеет обратный градиент, вблизи квантовой ямы расположен слой AlN, увеличивающий подвижность электронов в канале, под затвором расположен дополнительный слой AlGaN, легированный кремнием. ! 2. Газовый сенсор по п.1, отличающийся тем, что слой AlN, компенсирующий рассогласование параметров кристаллической решетки подложки, имеет толщину 200-220 нм. ! 3. Газовый сенсор по п.1, отличающийся тем, что градиентный слой, представленный сверхрешеточным слоем AlN-AlGaN, имеет толщину 130-150 нм. ! 4. Газовый сенсор по п.1, отличающийся тем, что градиентный слой, имеющий обратный градиент, имеет толщину 60-80 нм. ! 5. Газовый сенсор по п.1, отличающийся тем, что слой AlN, расположенный вблизи квантовой ямы, имеет толщину 1-5 нм. ! 6. Газовый сенсор по п.1, отличающийся тем, что дополнительный слой AlGaN, легированный кремнием, имеет толщину 90-110 нм. |
