| 摘要 |
Способ изготовления самомасштабируемой самосовмещенной транзисторной структуры, включающей формирование на подложке первого типа проводимости первого диэлектрического слоя, сплошного введения примеси второго типа проводимости через первый диэлектрический слой с последующим термическим отжигом для формирования коллекторной области, формирование на первом диэлектрическом слое первого слоя поликристаллического кремния, формирование на нем второго диэлектрического слоя, вскрытие окон во втором диэлектрическом слое для формирования щели под изолирующую область и контакт к подложке, травление в окне второго диэлектрического слоя, первого слоя поликристаллического кремния, первого диэлектрического слоя и частично подложки на глубину, равную области пространственного заряда, формирование на боковых стенках щели третьего диэлектрического слоя, формирование противоканальной области на дне щели, формирование в щели четвертого диэлектрического слоя, локальное удаление со дна щели под контакт к подложке третьего и четвертого диэлектрических слоев, заполнение щели вторым слоем поликристаллического кремния, планаризацию последнего до второго диэлектрического слоя, травление второго слоя поликристаллического кремния в щели на глубину равную второму диэлектрическому слою, локальное легирование контакта к подложке примесью первого типа проводимости, формирование пятого диэлектрнического слоя над вторым слоем поликристаллического кремния в щели, вскрытие окон во втором диэлектрическом слое на месте будущего контакта к коллекторной области и на месте будущих эмиттерной и базовой областями, между � |
