Herstellungsverfahren für einen versetzungsarmen AIN-Volumeneinkristall und versetzungsarmes einkristallines AIN-Substrat

摘要

Das Verfahren dient zur Herstellung eines AlN-Volumeneinkristalls (2). In einem Kristallwachstumsbereich (5) eines Züchtungstiegels (3) wird ein einkristalliner AlN-Keimkristall (9) mit einer zentralen Mittenlängsachse (13) angeordnet. Der AlN-Volumeneinkristall (2) wächst mittels Abscheidung auf dem AlN-Keimkristall (9) in einer parallel zur Mittenlängsachse (13) orientierten Wachstumsrichtung (16) auf. Der Züchtungstiegel (3; 22) weist eine sich in die Wachstumsrichtung (16) erstreckende seitliche Tiegelinnenwand (17) auf, wobei zwischen dem AlN-Keimkristall (9) sowie dem aufwachsenden AlN-Volumeneinkristall (2) einerseits und der seitlichen Tiegelinnenwand (17) andererseits ein freier Abstand (18) vorgesehen wird. Damit erhält man AlN-Volumeneinkristalle (2) sowie daraus hergestellte einkristalline AlN-Substrate mit nur wenigen Versetzungen, die außerdem weitgehend homogen verteilt vorliegen.