ION-SENSITIVE SENSOR HAVING A MULTILAYER STRUCTURE IN A SENSITIVE REGION

摘要

Ein ionensensitiver Sensor mit einer ElS-Strukur umfasst ein Halbleiter-Substrat (100), auf dem eine Schicht eines Substratoxid (103) erzeugt ist, eine Anpassungsschicht (104), welche auf dem Substratoxid präpariert ist, ein chemisch stabiler Zwischenisolator (105), der auf der Anpassungsschicht (104) abgeschieden ist, und eine Sensorschicht (106), welche ein Tantaloxid oder ein Tantaloxinitrid aufweist, die auf dem Zwischenisolator (105) aufgebracht ist, wobei der Zwischenisolator (105) Hafniumoxid oder Zirkonoxid oder ein Gemisch aus Zirkonoxid und Hafniumoxid aufweist, und wobei sich die Anpassungsschicht (104) in ihrer chemischen Zusammensetzung und / oder in ihrer Struktur von dem Zwischenisolator (104) und von dem Substratoxid (103) unterscheidet.