Siliziumkarbid-Halbleitervorrichtung mit Schottky-Sperrschichtdiode und Verfahren zu deren Fertigung

摘要

Eine Siliziumkarbid-Halbleitervorrichtung mit einer Schottky-Sperrschichtdiode weist ein Siliziumkarbidsubstrat (1) ersten Leitfähigkeitstyps, eine Siliziumkarbid-Driftschicht (2) ersten Leitfähigkeitstyps auf einer ersten Oberfläche (1a) des Substrats (1), eine Schottky-Elektrode (4), die einen Schottky-Kontakt mit der Driftschicht (2) bildet, und eine ohmsche Elektrode (5) auf einer zweiten Oberfläche (1b) des Substrats (1) auf. Die Schottky-Elektrode (4) weist eine Oxidschicht (4a) in direktem Kontakt mit der Driftschicht (2) auf. Die Oxidschicht (4a) ist aus einem Oxid von Molybdän, Titan, Nickel oder einer Legierung von wenigstens zwei dieser Elemente aufgebaut.