发明名称 OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR CHIP
摘要 <p>In mindestens einer Ausführungsform des optoelektronischen Halbleiterchips (1) basiert dieser auf einem Nitrid-Materialsystem und umfasst mindestens einen aktiven Quantentrog (2). Der mindestens eine aktive Quantentrog (2) ist dazu eingerichtet, im Betrieb eine elektromagnetische Strahlung zu erzeugen. Weiterhin weist der mindestens eine aktive Quantentrog (2) in einer Richtung parallel zu einer Wachstumsrichtung z des Halbleiterchips (1) N aufeinander folgende Zonen (A) auf, wobei N eine natürliche Zahl größer oder gleich 2 ist. Zumindest zwei der Zonen (A) des aktiven Quantentrogs (2) weisen einen voneinander verschiedenen mittleren Indiumgehalt c auf.</p>
申请公布号 WO2010112310(A1) 申请公布日期 2010.10.07
申请号 WO2010EP53047 申请日期 2010.03.10
申请人 OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH;AVRAMESCU, ADRIAN, STEFAN;QUEREN, DESIREE;EICHLER, CHRISTOPH;SABATHIL, MATTHIAS;LUTGEN, STEPHAN;STRAUSS, UWE 发明人 AVRAMESCU, ADRIAN, STEFAN;QUEREN, DESIREE;EICHLER, CHRISTOPH;SABATHIL, MATTHIAS;LUTGEN, STEPHAN;STRAUSS, UWE
分类号 H01L33/32;H01L33/06 主分类号 H01L33/32
代理机构 代理人
主权项
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