半导体装置的制造方法

摘要

本发明揭示一种半导体装置的制造方法。首先提供具一有源面及与该有源面相对设置的一背面的一晶片。接着，研磨晶片的背面以获得一薄化晶片。之后，于该薄化晶片上，形成多个分别于有源面及背面上具有开口的通孔。然后，在薄化晶片的有源面和该些通孔的内壁上形成绝缘层/导电层，并借此以电化学的方式填满导电材料于该些通孔内。利用先将晶片薄化后，再制作与填充通孔，可使直通硅晶穿孔(Through Silicon Via；TSV)技术具较短的制程时间、较高的可靠度及较低的材料浪费。

主权项

一种半导体装置的制造方法，包含下列步骤：提供一晶片，其中该晶片具一有源面及与该有源面相对的一背面；研磨该晶片的该背面，以获得一薄化晶片；形成多个通孔于该薄化晶片上，其中各该通孔具有分别位于该晶片的该背面和该有源面上的两开口；形成一绝缘层于该薄化晶片的该有源面和该些通孔的内壁；于该绝缘层上形成一导电层；以电化学的方式填满导电材料于该些通孔内；于该些通孔的至少一开口上形成凸块；以及切割该薄化晶片，以形成彼此独立的晶粒。