| 发明名称 | 一种降低W缺失效应的方法和半导体结构 | ||
| 摘要 | 一种降低钨缺失效应的方法及半导体结构，该方法包括提供一半导体基板，该半导体基板中具有通孔结构，该通孔结构贯通该半导体基板，该通孔结构中填充钨W，而后在通孔结构中掺杂活性比钨强的金属或者在该通孔结构上方沉积一层活性比钨强的金属，而后再沉积上金属层。利用本发明的方法和半导体结构，能降低W缺失的效应。 | ||
| 申请公布号 | CN101853805A | 申请公布日期 | 2010.10.06 |
| 申请号 | CN200910133318.6 | 申请日期 | 2009.03.31 |
| 申请人 | 和舰科技(苏州)有限公司 | 发明人 | 初曦;胡成仕;高永亮 |
| 分类号 | H01L21/768(2006.01)I;H01L21/3205(2006.01)I;H01L21/321(2006.01)I;H01L23/522(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/768(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京连和连知识产权代理有限公司 11278 | 代理人 | 张春媛 |
| 主权项 | 一种降低钨缺失效应的方法，其特征在于提供一半导体基板，该半导体基板中具有通孔结构，该通孔结构贯通该半导体基板，该通孔结构中填充钨W，而后在通孔结构中掺杂活性比钨强的金属或者在该通孔结构上方沉积一层活性比钨强的金属，而后再沉积上金属层。 | ||
| 地址 | 215025 江苏省苏州市苏州工业园区星华街333号 | ||