发明名称 |
一种光发射器件 |
摘要 |
本发明公开了一种光发射器件,它包括设置为响应于注入电荷而产生光的有源区以及n型材料层和p型材料层,其中,用至少两种掺杂物对n型材料层和p型材料层中的至少一个进行掺杂,所述掺杂物中至少一种具有比另一种掺杂物的电离能更高的电离能。 |
申请公布号 |
CN1917241B |
申请公布日期 |
2010.10.06 |
申请号 |
CN200610109581.8 |
申请日期 |
2006.08.14 |
申请人 |
安华高科技ECBU IP(新加坡)私人有限公司 |
发明人 |
维金奈·M·罗宾斯;史蒂文·D·莱斯特尔;杰弗里·N·米勒;戴维·P·保尔 |
分类号 |
H01L33/00(2006.01)I |
主分类号 |
H01L33/00(2006.01)I |
代理机构 |
北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 |
代理人 |
赵飞 |
主权项 |
一种光发射器件,包括:有源区,所述有源区设置为响应于注入电荷而产生光;n型材料层和p型材料层,其中,用至少两种掺杂物对所述n型材料层和所述p型材料层中的至少一个进行共掺杂,所述掺杂物中至少一种具有比其它种掺杂物的电离能更高的电离能;以及隧道结结构,所述隧道结结构定位成将电荷注入所述有源区中,所述隧道结结构包括第一半导体材料的n型隧道结层、第二半导体材料的p型隧道结层和所述n型隧道结层与所述p型隧道结层之间的隧道结,用至少两种掺杂物对所述隧道结层中至少一个进行共掺杂,所述掺杂物中至少一种具有比其它种掺杂物的电离能更高的电离能。 |
地址 |
新加坡新加坡市 |