发明名称 半导体微粒的制造方法及其微粒
摘要 本发明的课题为提供,可根据目的制造单分散的化合物半导体微粒、并且通过自我排出性也没有产物的堵塞、不需要很大的压力、而且生产率高的制造方法;使半导体原料在流体中析出·沉淀来制造化合物半导体微粒时,在可接近·分离地相互对向配设的、至少一方相对于另一方进行旋转的处理用面之间形成薄膜流体;在该薄膜流体中,使半导体原料析出·沉淀。另外,使含有半导体元素的化合物在流体中与还原剂发生反应来制造含有前述半导体元素的半导体微粒时,将上述流体在可接近·分离地相互对向配设的、至少一方相对于另一方进行旋转的处理用面之间形成薄膜流体;在该薄膜流体中,使含有上述半导体元素的化合物和还原剂发生反应。
申请公布号 CN101855713A 申请公布日期 2010.10.06
申请号 CN200880111041.0 申请日期 2008.08.07
申请人 M技术株式会社 发明人 榎村真一
分类号 H01L21/368(2006.01)I;B01J19/00(2006.01)I;B82B3/00(2006.01)I;C01B33/023(2006.01)I;C01G9/08(2006.01)I 主分类号 H01L21/368(2006.01)I
代理机构 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 代理人 贾成功
主权项 一种半导体微粒的制造方法,其特征在于,在流体中使半导体原料析出而制造半导体微粒时,将上述的流体作为在可接近·分离地相互对向配设的、至少一方相对于另一方进行旋转的处理用面之间形成的薄膜流体,在该薄膜流体中使半导体原料析出。
地址 日本大阪