半导体装置及其制造方法

摘要

一种半导体装置具备焊区电极(101)。焊区电极的主电极层的平面形状是从由大致圆形、大致椭圆形、至少1个内角比90°大的大致多角形和对至少一个角部进行倒角或作成园角的大致多角形的组合构成的组中选出的平面形状。主电极层经连接孔(251)与位于下方的下侧电极层(250)连接，在下侧电极层(250)的下侧设置下侧突出部(240)。更为理想的是，在其角部上设置应力缓冲用绝缘壁或应力缓冲用突出部。

主权项

一种半导体装置，其特征在于，具有：半导体基板；在上述半导体基板上，具有晶体管和第1层间绝缘膜的第1层；在上述第1层上，具有布线和第2层间绝缘膜的第2层；在上述第2层上，具有第3层间绝缘膜、在上述第3层间绝缘膜内的第1沟、在上述第1沟的侧面和底面上形成的下敷膜、和在上述第1沟内的上述下敷膜上形成的含有铜的第1金属部的第3层；和在上述第3层上，具有保护膜、和在上述第1金属部上的上述保护膜内形成的开口部的第4层；上述下敷膜比上述第1金属部硬；上述第1金属部的平面形状是从由大致圆形、大致椭圆形、至少1个内角比90°大的大致多角形和对至少一个角部进行倒角或作成圆角的大致多角形的组合构成的组中选出的平面形状；通过上述开口部将导线或凸点电极连接到上述第1金属部。