发明名称 低噪声运算放大器
摘要 本发明涉及放大器,其使用基于金属氧化物半导体的集成电路。本发明具体但不排他地涉及音频应用混合信号芯片。本发明提供了一种模拟电路,用于处理包括许多金属氧化物半导体晶体管器件的集成电路中的模拟信号,电路级包括具有薄氧化物厚度的第一所述晶体管器件和具有较厚氧化物厚度的第二所述晶体管器件。电压脉冲保护装置被设置成在存在快速上升的电压波形(例如ESD)的情况下维持薄氧化物晶体管的工作电压,或者至少减轻其对薄氧化物晶体管器件的影响。优选地,基于cascode的运算放大器结构被实施。
申请公布号 CN1671040B 申请公布日期 2010.10.06
申请号 CN200510051085.7 申请日期 2005.03.03
申请人 沃福森微电子股份有限公司 发明人 帕特里克·艾蒂安·理查德;约翰·劳伦斯·彭诺克
分类号 H03F1/26(2006.01)I;H03F3/45(2006.01)I 主分类号 H03F1/26(2006.01)I
代理机构 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人 王学强
主权项 一种模拟电路,用于处理集成电路中的模拟信号,所述集成电路包括:许多金属氧化物半导体晶体管器件,所述电路包括第一所述晶体管器件,其具有第一氧化物厚度,以及第二所述晶体管器件,其具有较大的氧化物厚度;第一晶体管器件被设置成在使用中具有预定电平以下的工作电压,并且其中第二晶体管器件被设置成在使用中不受该预定工作电压电平的约束;电压脉冲保护装置,其被设置成在存在被施加给第一晶体管器件的快速上升电压波形的情况下基本上维持所述工作电压。
地址 英国爱丁堡