| 发明名称 | 基板处理方法和等离子体处理装置 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种等离子体处理装置和基板处理方法，该基板处理方法的特征在于：氮化在基板表面上形成的氧化膜来形成氧氮化膜，该方法包括：氮化处理工序，通过等离子体激励稀有气体和氮气，生成氮原子团或者氮离子，利用所述氮原子团或者氮离子来氮化所述氧化膜，所述氮化处理工序是在下述条件下进行的：在100℃～500℃的基板温度，将所述等离子体的电子温度设定为2eV以下，将保持有所述被处理基板的处理空间中的氧滞留时间设定为2秒以下。 | ||
| 申请公布号 | CN101266928B | 申请公布日期 | 2010.10.06 |
| 申请号 | CN200810001745.4 | 申请日期 | 2003.03.28 |
| 申请人 | 东京毅力科创株式会社 | 发明人 | 松山征嗣;菅原卓也;尾﨑成则;中西敏雄;佐佐木胜 |
| 分类号 | H01L21/314(2006.01)I;H01L21/3105(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/314(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人 | 龙淳 |
| 主权项 | 一种基板处理方法，氮化在被处理基板上形成的氧化膜来形成氧氮化膜，其特征在于，该方法包括：氮化处理工序，通过等离子体激励稀有气体和氮气，生成氮原子团或者氮离子，利用所述氮原子团或者氮离子来氮化所述氧化膜，所述氮化处理工序是在下述条件下进行的：在100℃～500℃的基板温度，将所述等离子体的电子温度设定为2eV以下，将保持有所述被处理基板的处理空间中的氧滞留时间设定为2秒以下，所述被处理基板是硅基板。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||