| 发明名称 | 半导体装置、带有单晶半导体薄膜的基板和它们的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供在包含转印至耐热性差的绝缘基板上的单晶半导体薄膜的单晶半导体元件中，能够提高晶体管特性的半导体装置、带有单晶半导体薄膜的基板和它们的制造方法。本发明为在绝缘基板上具备包含单晶半导体薄膜的多个单晶半导体元件的半导体装置的制造方法，上述制造方法包括：第一热处理工序，以不足650℃对上述单晶半导体薄膜进行热处理，上述单晶半导体薄膜掺杂有杂质，形成上述多个单晶半导体元件的至少一部分，并且与上述绝缘基板接合；和第二热处理工序，在上述第一热处理工序之后，以比上述第一热处理工序的热处理时间短的时间，在650℃以上对上述单晶半导体薄膜进行热处理。 | ||
| 申请公布号 | CN101855703A | 申请公布日期 | 2010.10.06 |
| 申请号 | CN200880115929.1 | 申请日期 | 2008.10.22 |
| 申请人 | 夏普株式会社 | 发明人 | 高藤裕;福岛康守;多田宪史;中川和男;松本晋;富安一秀 |
| 分类号 | H01L21/02(2006.01)I;H01L21/265(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L27/12(2006.01)I;H01L29/786(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人 | 龙淳 |
| 主权项 | 一种半导体装置的制造方法，其为在绝缘基板上具备包含单晶半导体薄膜的多个单晶半导体元件的半导体装置的制造方法，该半导体装置的制造方法的特征在于，包括：第一热处理工序，以不足650℃对该单晶半导体薄膜进行热处理，该单晶半导体薄膜掺杂有杂质，形成该多个单晶半导体元件的至少一部分，并且与该绝缘基板接合；和第二热处理工序，在所述第一热处理工序之后，以比所述第一热处理工序的热处理时间短的时间，在650℃以上对该单晶半导体薄膜进行热处理。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||