形成EEPROM器件的方法及其结构

摘要

本发明涉及形成EEPROM器件的方法及其结构。在一个实施方式中，形成包括金属层的EEPROM器件，所述金属层具有通过其的开口。开口覆盖在EEPROM器件的浮栅的一部分上。

主权项

一种EEPROM单元，包括：半导体基底，其具有在其上形成的第一晶体管的沟道区；浮栅，其具有位存储区域并且还具有覆盖在所述沟道区的一部分上的栅电极，所述位存储区域具有外边缘；控制栅极，其覆盖在所述浮栅上，所述控制栅极的外边缘延伸第一距离而超过所述浮栅的所述位存储区域的外边缘；金属层，其覆盖在所述控制栅极的第一部分上并延伸成与所述控制栅极的第一部分重叠第二距离而超出所述控制栅极的外边缘；以及开口，其通过所述金属层，所述开口覆盖在所述位存储区域上，其中所述开口的外边缘被间隔开第三距离而超过所述位存储区域的外边缘，且其中所述开口覆盖在所述控制栅极的第二部分上。