半导体装置制造方法和薄膜晶体管阵列面板及其制造方法

摘要

本发明涉及一种制造用于液晶显示器的薄膜晶体管阵列基片的方法。在该方法中，在基片上形成包括栅极线、栅极、和栅极衬垫的横向栅极布线。然后，形成栅极绝缘层，在其上部顺次形成半导体层及欧姆接触层。接着，将导电层沉积在基片上，并制作布线图案形成包括与栅极线交叉的数据线、源极、漏极、和数据衬垫的数据布线。接着，将保护层和有机绝缘层沉积在基片上。将有机绝缘层进行曝光和显像，从而形成分别露出漏极、栅极衬垫、及数据衬垫上部保护层的接触孔。接着，将有机绝缘层作为掩膜蚀刻露出的保护层，露出漏极、栅极衬垫以及数据衬垫。接着，通过固化收缩或回流有机绝缘层，以便在接触区域除去底切结构。在固化步骤之前抛光有机绝缘层。接着，将ITO或IZO沉积在有机绝缘层上，并制作布线图案以形成分别与漏极、栅极衬垫、及数据衬垫连接的像素电极、辅助栅极衬垫及辅助数据衬垫。

主权项

一种制造半导体装置的方法，所述方法包括以下步骤：在基片上形成第一布线组件；在所述第一布线组件上形成下层；形成有机绝缘层，以便所述有机绝缘层覆盖所述下层；对所述有机绝缘层制作布线图案，从而形成露出所述下层的接触孔；在对所述有机绝缘层图案化后，蚀刻通过所述接触孔露出的所述下层，以便露出其下的所述第一布线组件，从而在所述有机绝缘层与所述下层之间的交界处形成底切；固化具有所述底切的所述有机绝缘层以除去所述底切；在所述有机绝缘层上形成第二布线组件，以便所述第二布线组件通过所述接触孔连接所述第一布线组件。