发明名称 使用光敏感材料有孔填涂大马士革的工艺
摘要 本发明属集成电路制备工艺技术领域,具体为一种使用光敏感材料有孔填涂大马士革的制造工艺。大马士革工艺是一种新兴的金属布线技术,该技术存在较为突出的是通孔填充问题,常规的填充试剂和后续光刻工艺使用多种不同类型化学物质,工艺繁琐、复杂。本发明使用光敏感材料有孔填涂大马士革的制造工艺,能够在减少化学试剂使用种类的情况下利用新颖的有孔填充技术,使用2-5次填涂、烘烤,控制停留在大马士革通孔中的空气气泡体积、大小,所在位置,改善大马士革的填充工艺。
申请公布号 CN1632942B 申请公布日期 2010.10.06
申请号 CN200410093457.8 申请日期 2004.12.23
申请人 上海华虹(集团)有限公司;上海集成电路研发中心有限公司 发明人 朱骏
分类号 H01L21/768(2006.01)I 主分类号 H01L21/768(2006.01)I
代理机构 上海正旦专利代理有限公司 31200 代理人 滕怀流;陆飞
主权项 一种使用光敏感材料有孔填涂大马士革的工艺,其特征是具体步骤如下:(1)沉积大马士革的介质膜;(2)光刻、刻蚀通孔、清洗;(3)第一次光敏感材料填充、烘烤;(4)第二次光敏感材料填充、烘烤;重复2-5次;(5)光敏感材料表面图布、烘烤、光刻、刻蚀金属导线通路、清洗,完成有孔填充的大马士革制作工艺;上述步骤中,通过调整光敏感材料的填充、烘烤工艺,以控制停留在大马士革通孔中的空气气泡体积、大小、所在位置。
地址 200020 上海市淮海中路918号18楼