发明名称 |
使用光敏感材料有孔填涂大马士革的工艺 |
摘要 |
本发明属集成电路制备工艺技术领域,具体为一种使用光敏感材料有孔填涂大马士革的制造工艺。大马士革工艺是一种新兴的金属布线技术,该技术存在较为突出的是通孔填充问题,常规的填充试剂和后续光刻工艺使用多种不同类型化学物质,工艺繁琐、复杂。本发明使用光敏感材料有孔填涂大马士革的制造工艺,能够在减少化学试剂使用种类的情况下利用新颖的有孔填充技术,使用2-5次填涂、烘烤,控制停留在大马士革通孔中的空气气泡体积、大小,所在位置,改善大马士革的填充工艺。 |
申请公布号 |
CN1632942B |
申请公布日期 |
2010.10.06 |
申请号 |
CN200410093457.8 |
申请日期 |
2004.12.23 |
申请人 |
上海华虹(集团)有限公司;上海集成电路研发中心有限公司 |
发明人 |
朱骏 |
分类号 |
H01L21/768(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/768(2006.01)I |
代理机构 |
上海正旦专利代理有限公司 31200 |
代理人 |
滕怀流;陆飞 |
主权项 |
一种使用光敏感材料有孔填涂大马士革的工艺,其特征是具体步骤如下:(1)沉积大马士革的介质膜;(2)光刻、刻蚀通孔、清洗;(3)第一次光敏感材料填充、烘烤;(4)第二次光敏感材料填充、烘烤;重复2-5次;(5)光敏感材料表面图布、烘烤、光刻、刻蚀金属导线通路、清洗,完成有孔填充的大马士革制作工艺;上述步骤中,通过调整光敏感材料的填充、烘烤工艺,以控制停留在大马士革通孔中的空气气泡体积、大小、所在位置。 |
地址 |
200020 上海市淮海中路918号18楼 |