| 发明名称 | NROM闪存晶体管及其制造方法、NROM闪存阵列、电子系统 | ||
| 摘要 | 一种氮化物只读存储器(NROM)单元具有不位于晶体管下方的氮化层。具有氮化层的柵绝缘层包括两个部分，这两部分具有各自从结构上限定和隔离的电荷陷阱区。电荷响应晶体管工作的方向被存储在特定陷阱区内。柵绝缘体的两个部分使多晶硅柵结构的外部区域与中间区域隔离开。 | ||
| 申请公布号 | CN1879177B | 申请公布日期 | 2010.10.06 |
| 申请号 | CN200480032833.0 | 申请日期 | 2004.11.03 |
| 申请人 | 微米技术股份有限公司 | 发明人 | L·福布斯 |
| 分类号 | G11C16/04(2006.01)I;H01L21/8246(2006.01)I;G11C11/56(2006.01)I | 主分类号 | G11C16/04(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人 | 李玲 |
| 主权项 | 一种氮化物只读存储器闪存晶体管，包括：包含第一源极/漏极区和第二源极/漏极区的衬底；衬底上的连续的氧化层，所述连续的氧化层覆盖在所述第一源极/漏极区和所述第二源极/漏极区之上；耦合到且形成于所述连续的氧化层的一部分的顶端上的柵绝缘层，所述柵绝缘层包含形成在第一源极/漏极区之上的第一部分和隔离的形成在第二源极/漏极区之上的第二部分；以及柵电极包含多个部分，即耦合到连续的氧化层的中间部分以及耦合于柵绝缘层的第一部分的第一外层部分和耦合于栅绝缘层的第二部分的第二外层部分，从而使柵绝缘层将栅电极的中间部分与栅电极的第一和第二外层分开。 | ||
| 地址 | 美国爱达荷州 | ||