| 主权项 |
一种用于制作半导体器件的方法，该方法包括：提供一衬底，区分出第一器件区和第二器件区；在所述第一器件区和所述第二器件区中生长第一栅氧化物层；在所述第一器件区中形成第一扩散区，并且在所述第二器件区中形成第二扩散区和第三扩散区；注入第一多个离子以在所述第一器件区中形成第四扩散区以及在所述第二器件区中形成第五扩散区，所述第四扩散区与所述第一扩散区重叠；在所述第一器件区中形成第一栅，并且在所述第二器件区中形成第二栅和第三栅；在所述第一栅、所述第二栅、所述第三栅以及所述第一栅氧化物层上沉积第一电介质层；对所述第一器件区中位于所述第一栅一侧的所述第一栅氧化物层的第一部分以及所述第一电介质层的第一和第二部分进行蚀刻，所述第一电介质层的第一部分在所述第一栅上，所述第一电介质层的第二部分在所述第一栅氧化物层的第一部分上；在第一器件区中生长栅间氧化物层和第二栅氧化物层，所述栅间氧化物层在所述第一栅上，所述第二栅氧化物层在所述衬底上；至少在所述第一器件区中的所述第二栅氧化物层、所述栅间氧化物层以及所述第一电介质层上形成第四栅；在所述第二器件区中的第一电介质层上形成第五栅；注入第二多个离子以形成多个源区和多个漏区；其中，所述对所述第一器件区中的所述第一电介质层的第一和第二部分以及所述第一栅氧化物层的第一部分进行蚀刻不去除所述第二器件区中的所述第一电介质层的任何部分。 |
