发明名称 透明导电性构件的制造方法
摘要 本发明的课题是提供可廉价制造透光性及导电性优异的透明导电性构件的方法。透明导电性构件的制造方法,其包含:(a)在透明基材上通过含还原剂的油墨进行图案印刷,形成含还原剂图案层的工序;其次,(b)在上述含还原剂图案层上,把含有通过还原能形成非电解镀敷催化剂的金属离子的金属离子溶液进行涂布,通过上述还原剂与金属离子的接触,还原该金属离子,形成非电解镀敷催化剂层的工序;然后,(c)在上述非电解镀敷催化剂层上,通过镀敷处理形成导电性金属层的工序。
申请公布号 CN101855679A 申请公布日期 2010.10.06
申请号 CN200880115847.7 申请日期 2008.11.11
申请人 世联株式会社 发明人 林宽之;后藤昌利;大塚廉太郎
分类号 H01B13/00(2006.01)I;G09F9/00(2006.01)I 主分类号 H01B13/00(2006.01)I
代理机构 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 代理人 王永红
主权项 透明导电性构件的制造方法,该方法是制造具有透明基材与导电性金属层的透明导电性构件的方法,其特征在于,包含下列工序(a)、(b)及(c):(a)在透明基材上通过含还原剂的油墨进行图案印刷,形成含还原剂图案层的工序;(b)在上述含还原剂的图案层上,把含有通过还原能形成非电解镀敷催化剂的金属离子的金属离子溶液进行涂布,通过上述还原剂与金属离子的接触,还原该金属离子,形成非电解镀敷催化剂层的工序;(c)在上述非电解镀敷催化剂层上,通过镀敷处理形成导电性金属层的工序。
地址 日本福井县