一种在硅片上复合In₂O₃触须状纳米结构的半导体材料及其制备方法

摘要

本发明公开了一种在硅片上复合In2O3触须状纳米结构的半导体材料及其制备方法，其材料包括衬底，该衬底采用硅片，其衬底表面生长有In2O3晶体；所述的In2O3晶体为多面体纳米结构连接形成的触须状纳米结构，In2O3晶体长度为48～68μm，多面体的大小由触须状结构顶端到底端逐渐变大。其制备方法是以In2O3粉和C粉作为原料，利用热蒸发方法生长得到In2O3触须状纳米结构。本发明中的触须状纳米结构，表面上有大量可作为发射点的棱角，可作为良好的场发射阴极材料。本发明具有成本低，重复性高等优点，可结合目前成熟的半导体硅集成电路工艺，适合于集成纳米光电子器件的制备。

主权项

一种在硅片上复合In2O3触须状纳米结构的半导体材料，其特征在于：该材料包括硅片衬底及生长在该衬底表面的In2O3晶体；所述In2O3晶体为多面体纳米结构连接形成的触须状纳米结构，其长度为48～68μm，多面体的大小由触须状结构顶端到底端逐渐变大。