前置放大器设计方法以及片上前置放大器设计方法

摘要

一种前置放大器电路的设计方法，对调节式共源共栅(RGC)结构进行改进，并采用有源负反馈、电阻负反馈和多级共源级级连的方式，获得高增益、宽带宽和低噪声的性能，可以作为系统中的前置放大器。一种采用所述方法的片上前置放大器电路的设计方法，其特征是采用改进型RGC结构，采用MOSFET、MESFET工艺；所述L1、L2、L3和L4采用在片螺旋电感。本电路具有极小的输入电阻，拓展了带宽，同时该结构具有了极稳定的偏置，具有高增益的性能，经过CMOS工艺验证，跨阻增益达到52dB，3dB带宽大于40GHz。

主权项

一种前置放大器电路的设计方法，在输入级采用改进型调节式共源共栅(RGC)结构；然后通过三级共源级放大器，最后输出信号OUT；其特征是所述改进型RGC结构，由四只N型晶体管M1、M2、M3和M4构成，它们的连接方法是：M1的栅端连接电源电压VDD，M1的漏端连接电阻R1和M2的栅端，R1的另一端连接到电源电压VDD，M1的源端连接到输入信号IN；M2的源端连接到地电位GND，M2的漏端连接电阻R2和M3的栅端，R2的另一端连接到电源电压VDD；M3的源端连接到M4的漏端，M3的漏端分别经电阻R3和L1连接VDD，和连接后面M5、M7和M9构成的三级共源级放大器；M4的栅端接外部控制电压Vb，M4的源端连接到地电位GND，M4的漏端连接连接输入信号IN。