一种去除磷和金属杂质的提纯硅的方法

摘要

本发明涉及一种去除磷和金属杂质的提纯硅的方法。其包括以下步骤：将封密式提纯炉内净化，加热熔融封密式提纯炉石墨坩锅内的金属硅；对呈熔融状态的金属硅溶液喷吹预热的O2和Ar混合气体；停止吹入O2和Ar混合气体，通过硅液底部骤冷，使其从底部向上进行定向凝固；硅锭出炉，去四周及头尾完成提纯得到高纯度的多晶硅。与现有技术相比，本发明通过直流电弧放电加热硅熔化成液态，同时底部吹预热的O2和Ar实现搅拌作用，让具有高发挥系数的磷等杂质去除；搅拌时间达到设定值后，从底部向上进行定向凝固，完成了对硅去磷除金属的提纯。本发明是一种低成本、工艺简单、无环境污染问题，改进了硅材料的性能、是一种易于产业化的硅提纯的制作工艺和制作方法。

主权项

一种去除磷和金属杂质的提纯硅的方法，其特征在于，包括以下步骤：步聚1，将封密式提纯炉内净化，加热熔融封密式提纯炉石墨坩锅内的金属硅；步骤2，对呈熔融状态的金属硅溶液喷吹预热的O2和Ar混合气体；步骤3，停止吹入O2和Ar混合气体，通过硅液底部骤冷，使其从底部向上进行定向凝固；步骤4，硅锭出炉，去头尾完成提纯得到高纯度的多晶硅。