| 发明名称 | 一种横向诱导晶化低温多晶硅薄膜的方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种横向诱导晶化低温多晶硅薄膜的方法，包括：步骤1)：在衬底上形成非晶硅层，然后形成氧化物层；步骤2)：在所述氧化物层上刻蚀出凹槽，以暴露出非晶硅层，该凹槽的宽度为2μm～30μm，间距为60～5000μm；步骤3)：在所述暴露的非晶硅层上形成镍硅氧化物薄膜，该镍硅氧化物薄膜的厚度为步骤4)：将步骤3)所得产物在惰性或保护气体环境、590℃下退火1小时。采用SR-Ni/Si氧化物作为薄膜材料，可有效地减少多晶硅膜中的镍残留，非常适合于MILC制作多晶硅。同时，在制作多晶硅物质时所允许的工艺误差也相对大，不仅提供了更宽的工艺窗口，还防止了不同的工艺参数对多晶硅TFT的影响。 | ||
| 申请公布号 | CN101853784A | 申请公布日期 | 2010.10.06 |
| 申请号 | CN201010175536.9 | 申请日期 | 2010.05.17 |
| 申请人 | 广东中显科技有限公司 | 发明人 | 赵淑云 |
| 分类号 | H01L21/20(2006.01)I;H01L21/316(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/20(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京泛华伟业知识产权代理有限公司 11280 | 代理人 | 王勇 |
| 主权项 | 1.一种横向诱导晶化低温多晶硅薄膜的方法，包括：步骤1)：在衬底上形成非晶硅层，然后形成氧化物层；步骤2)：在所述氧化物层上刻蚀出凹槽，以暴露出非晶硅层，该凹槽的宽度为2μm～30μm，间距为60～5000μm；步骤3)：在所述暴露的非晶硅层上形成镍硅氧化物薄膜，该镍硅氧化物薄膜的厚度为2.5<img file="FSA00000106094700011.GIF" wi="43" he="52" />～50<img file="FSA00000106094700012.GIF" wi="58" he="58" />步骤4)：将步骤3)所得产物在惰性或保护气体环境、590℃下退火1小时。 | ||
| 地址 | 528225 广东省佛山市南海区狮山经济开发区北园中路11号 | ||