| 发明名称 | 薄膜晶体管及其制作方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种薄膜晶体管及其制作方法，该制作方法首先提供一基板，接下来于基板上依序形成一闸极电极与一第一介电层，且该第一介电层覆盖该闸极电极。接下来进行一图案化步骤，移除该闸极电极上的至少部分该第一介电层，以至少暴露出部分该闸极电极。最后于该基板上形成一第二介电层，且该第二介电层是覆盖该闸极电极。本发明可分别控制薄膜晶体管处的介电层厚度与基板上其它处的介电层厚度，故可于降低闸极绝缘层厚度以改善薄膜晶体管Ion与Ioff时，不影响到该基板上其它组件的电性表现。 | ||
| 申请公布号 | CN101853787A | 申请公布日期 | 2010.10.06 |
| 申请号 | CN201010209943.7 | 申请日期 | 2010.06.26 |
| 申请人 | 华映光电股份有限公司;中华映管股份有限公司 | 发明人 | 陈建铭 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L29/786(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 福州元创专利商标代理有限公司 35100 | 代理人 | 蔡学俊 |
| 主权项 | 一种薄膜晶体管的制作方法，其特征在于包含： 提供一基板； 于该基板上形成一闸极电极； 于该基板与该闸极电极上形成一第一介电层；进行一图案化步骤，移除该闸极电极上的至少部分该第一介电层，而至少暴露出部分该闸极电极；以及于该基板上形成一第二介电层，且该第二介电层是覆盖该闸极电极。 | ||
| 地址 | 350015 福建省福州市马尾科技园区兴业路1号 | ||