采用微晶半导体材料的三维只读存储器

摘要

本发明提出一种采用微晶半导体材料的三维只读存储器(3D-ROM)。其3D-ROM膜含有微晶半导体材料，微晶半导体材料能降低3D-ROM膜和电极之间的接触电阻，从而缩短3D-ROM的首访时间。

主权项

一种采用微晶半导体材料的三维只读存储器，其特征在于含有：一衬底；多个叠置在衬底上的只读存储层，所述只读存储层通过多个接触通道口与衬底实现电连接；至少一个存储层含有多个只读存储元，每个只读存储元含有：顶电极和底电极；一位于该顶电极和底电极之间的3D-ROM膜，该3D-ROM膜含有微晶半导体材料，该微晶半导体材料能降低电极和3D-ROM膜的接触电阻。