发明名称 使用多进制存储器中的一些存储块作为二进制存储块的非易失性半导体存储器件
摘要 提供一种使用多进制存储器中的一些存储块作为二进制存储块的非易失性半导体存储器件。非易失性半导体存储器件包括存储单元阵列、接口和写入电路。写入电路可根据输入到接口的数据写入命令通过第一写入次序或第二写入次序选择性地将数据写入存储单元阵列中。当从接口输入根据第一写入次序的数据写入命令时,写入电路在标记数据具有第一值时执行命令,并在标记数据具有第二值时不执行命令。
申请公布号 CN1856839B 申请公布日期 2010.10.06
申请号 CN200480027371.3 申请日期 2004.08.23
申请人 株式会社东芝;三因迪斯克公司 发明人 永岛宏行;田中智晴;河合矿一;卡德科尔·N.·奎德尔
分类号 G11C11/56(2006.01)I;G11C16/22(2006.01)I 主分类号 G11C11/56(2006.01)I
代理机构 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 代理人 岳耀锋
主权项 一种非易失性半导体存储器件,包括:由具有可电改写的非易失性半导体存储单元的多个存储块构成的存储单元阵列;与外部器件通信的接口;根据输入到所述接口的数据擦除命令、用第一擦除次序或第二擦除次序对各存储块擦除所述存储单元中的数据的擦除电路,在从所述接口输入根据所述第一擦除次序的所述数据擦除命令时,所述擦除电路通过使用所述第一擦除次序执行被选择的存储块中的所述存储单元的擦除,并将标记数据写入所述被擦除的存储块中的一些存储单元中;和根据输入到所述接口的数据写入命令、在通过使用所述第一擦除次序执行所述擦除时根据第一写入次序、或者在通过使用所述第二擦除次序执行所述擦除时根据第二写入次序将数据写入各存储块的各页面中的写入电路,在从所述接口输入根据所述第一写入次序的所述数据写入命令时,所述写入电路在要被所述写入命令写入访问的块中的一些存储单元中写入的所述标记数据具有第一值时执行所述写入命令,并在所述标记数据具有第二值时不执行所述写入命令。
地址 日本东京都