NAND型非易失性半导体存储装置

摘要

本发明公开了一种在晶体管沟道区域的相对横向表面上具有作为辅助电极的侧面电极以由此改善操作余量的NAND型电可擦可编程只读存储器(EEPROM)装置。也被称为NAND闪速存储器的NANDEEPROM在半导体衬底上具有包含存储单元晶体管的串行组合的存储单元的阵列。存储单元晶体管中的每一个具有一对源极和漏极区域、沟道区域、隧道绝缘体膜、电荷存储层、控制电介质膜、控制电极、沟道区域的侧面上的侧面电介质膜、以及在沟道区域的侧表面上形成使得沟道区域被横向插入其间的侧面电极。侧面电极被串行耦接的存储单元晶体管中的相邻存储单元晶体管共用或“共享”。

主权项

一种非易失性半导体存储装置，包括：半导体衬底；和所述半导体衬底上的多个存储单元，所述存储单元中的每一个具有存储单元晶体管，其中，所述存储单元形成包含多个所述存储单元晶体管的串行连接的阵列，所述存储单元晶体管中的每一个具有在所述半导体衬底中形成的一对源极和漏极区域、横向插入在所述源极和漏极区域之间的具有上表面和侧表面的沟道区域、在所述沟道区域的上表面上的隧道绝缘体膜、在所述隧道绝缘体膜上的电荷存储层、在所述电荷存储层上的控制电介质膜、在所述控制电介质膜上的控制电极、在所述沟道区域的侧表面上的侧面电介质膜、以及提供在所述侧面电介质膜上以彼此相对使得所述沟道区域位于其间的第一侧面电极和第二侧面电极，其中，所述第一侧面电极在被串行连接在一起的所述存储单元晶体管中的邻近存储单元晶体管之间被共享，并且，所述第二侧面电极在被串行连接在一起的所述存储单元晶体管中的邻近存储单元晶体管之间被共享。