| 发明名称 | 半导体制造中的测量方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种制造半导体器件的方法。该方法包括提供具有正面和背面的器件衬底，器件衬底具有第一折射率，在器件衬底的正面之上形成嵌入靶，在嵌入靶之上形成反射层，在器件衬底的背面之上形成介质层，介质层具有小于第一折射率的第二折射率，从背面投射辐射穿过介质层和器件衬底，从而为半导体加工检测嵌入靶。 | ||
| 申请公布号 | CN101853802A | 申请公布日期 | 2010.10.06 |
| 申请号 | CN201010128086.8 | 申请日期 | 2010.03.08 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 许家豪;傅士奇;许峰嘉;蔡嘉雄 |
| 分类号 | H01L21/71(2006.01)I;H01L23/544(2006.01)I;H01L27/146(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/71(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市德恒律师事务所 11306 | 代理人 | 梁永 |
| 主权项 | 一种方法，包括：提供具有正面和背面的器件衬底，所述器件衬底具有第一折射率；在所述器件衬底的正面之上形成嵌入靶；在所述嵌入靶之上形成反射层；在所述器件衬底的背面之上形成介质层，所述介质层具有小于所述第一折射率的第二折射率；以及从所述背面投射辐射穿过所述介质层和所述器件衬底，从而为半导体加工检测所述嵌入靶。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹 | ||