| 发明名称 | 等离子腐蚀室 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种等离子腐蚀室，它包括向晶片边缘导引反应气体的气体分配板；布置成与气体分配板间隔的板；和在气体分配板和板的相对表面中的至少一个上伸出的缓冲器部分以允许移动到晶片边缘的反应气体的压力是均匀的。 | ||
| 申请公布号 | CN101855712A | 申请公布日期 | 2010.10.06 |
| 申请号 | CN200880115101.6 | 申请日期 | 2008.10.31 |
| 申请人 | 索绍株式会社 | 发明人 | 李熙世;郑成炫;朴世文 |
| 分类号 | H01L21/3065(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/3065(2006.01)I |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人 | 王琼 |
| 主权项 | 一种用于腐蚀晶片边缘的等离子腐蚀室，包括：向晶片边缘导引反应气体的气体分配板；布置成与气体分配板间隔的板；和在气体分配板和板的相对的表面中的至少一个上伸出的缓冲器部分。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||