| 发明名称 | 一种增强偏振出光发光二极管 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种半导体带隙结构产生光的发光二极管(LED)光源，特别涉及一种电磁波透射结构，具有复合微纳表面光栅结构的有源偏振出光光学器件。它包括基底(1)、n型层(2)、量子井(3)、p型层(4)和金属光栅(6)，其特征在于：在p型层(4)的上表面，镀有或刻有一介质过渡层(5)与金属光栅(6)的复合结构，介质过渡层的折射率n满足条件为：1.0＜n＜p型层介质(4)的折射率；所述的过渡层为薄膜结构、光栅结构和嵌入结构中的一种。上述结构的采用，能有效地增强发光二级管的传输和消光特性，在一个周期内光栅侧面的平坦度，光栅的占空比以及工作波长的范围相对于传统的单层金属光栅都有明显提高。 | ||
| 申请公布号 | CN101853912A | 申请公布日期 | 2010.10.06 |
| 申请号 | CN201010151039.5 | 申请日期 | 2010.04.08 |
| 申请人 | 苏州大学 | 发明人 | 张桂菊;曹冰;王钦华;韩琴 |
| 分类号 | H01L33/44(2010.01)I | 主分类号 | H01L33/44(2010.01)I |
| 代理机构 | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人 | 陶海锋 |
| 主权项 | 一种增强偏振出光发光二极管，它包括基底(1)、n型层(2)、量子井(3)、p型层(4)和金属光栅(6)，其特征在于：在p型层(4)的上表面，镀有或刻有一介质过渡层(5)与金属光栅(6)的复合结构，介质过渡层的折射率n满足条件为：1.0＜n＜p型层介质(4)的折射率；所述的过渡层为薄膜结构、光栅结构和嵌入结构中的一种。 | ||
| 地址 | 215123 江苏省苏州市苏州工业园区仁爱路199号 | ||