半导体存储装置

摘要

本发明具备列读出电压供给电路，对每一条列选择线，在读出选择时供给规定的第1电压，在读出非选择时供给与上述第1电压不同的第2电压，具备行读出电压供给电路，对每一条行选择线，在读出选择时供给第2电压，具备读出电路，在读出时，将流经被选择的行选择线的电流与流经非选择的行选择线的电流分离并进行检测，检测被选择的存储单元的电阻状态，具备列电压位移抑制电路，在读出时，对非选择的列选择线的每一条个别地抑制供给的电压电平的位移。

主权项

一种半导体存储装置，其特征在于，具有存储单元阵列，在行方向和列方向上分别排列多个存储单元，该存储单元由利用电阻的变化存储信息的可变电阻元件构成，具备在行方向上延伸的多个行选择线和在列方向上延伸的多个列选择线，同一行的上述存储单元的每一个将上述可变电阻元件的一端侧连接于相同的上述行选择线上，同一列的上述存储单元的每一个将上述可变电阻元件的另一端侧连接于相同的上述列选择线上，具备列读出电压供给电路，对每一条上述列选择线，在读出选择时供给规定的第1电压，在读出非选择时供给与上述第1电压不同的第2电压，具备行读出电压供给电路，对每一条上述行选择线，在读出时供给上述第2电压，具备读出电路，在读出时，将流经被选择的上述行选择线的电流与流经非选择的上述行选择线的电流分离并进行检测，检测被选择的上述存储单元的电阻状态，具备列电压位移抑制电路，在读出时，对非选择的上述列选择线的每一条个别地抑制供给的电压电平的位移。