发明名称 |
磁性薄膜及其形成方法、磁性元件以及电感器和磁性元件的制造方法 |
摘要 |
本发明提供具有高共振频率,高频特性优异的磁性薄膜以及高频特性优异的磁性元件以及电感器。在衬底2上设置平面线圈4以及磁性薄膜1,在连接用端子J1,J2之间形成电感器。相对于衬底2的表面,沿着倾斜方向使磁性薄膜1中的倾斜生长磁性层11晶体生长成柱状(倾斜生长磁性体12)。在该倾斜生长磁性层11中,为了使倾斜生长磁性体12软磁化,向倾斜生长磁性体12混入绝缘体13。使得倾斜生长磁性层11显示出面内晶体磁各向异性,同时提高该面内晶体磁各向异性,增加各向异性磁场。能够只通过倾斜生长磁性层11的晶体生长方向来改变各向异性磁场Hk,从而增加各向异性磁场Hk,提高磁性薄膜1的共振频率fr而不降低饱和磁化强度4πMs。 |
申请公布号 |
CN1801410B |
申请公布日期 |
2010.10.06 |
申请号 |
CN200510104698.2 |
申请日期 |
2005.11.30 |
申请人 |
TDK株式会社 |
发明人 |
崔京九 |
分类号 |
H01F10/08(2006.01)I;H01F10/30(2006.01)I;H01F41/14(2006.01)I;H01F17/00(2006.01)I;G11B5/31(2006.01)I |
主分类号 |
H01F10/08(2006.01)I |
代理机构 |
中国专利代理(香港)有限公司 72001 |
代理人 |
孙秀武;邹雪梅 |
主权项 |
一种磁性薄膜,其特征在于:具有含有绝缘材料和通过混入该绝缘材料而软磁化的磁性材料,形成于衬底上,且相对于叠层面沿着倾斜方向晶体生长成柱状的倾斜生长磁性层。 |
地址 |
日本东京 |