一种半导体发光器件及其制造方法

摘要

本发明涉及一种半导体发光器件及其制造方法，该半导体发光器件包括第一电极、第二电极、外延层和衬底，所述衬底具有相对的第一表面和第二表面，衬底第一表面形成有外延层，外延层上形成有第一电极；衬底包括基板和分布于基板中的导通电极，外延层连接于衬底第一表面中的导通电极上，第二电极连接于衬底第二表面中的导通电极上。本发明还公开了一种半导体发光器件的制造方法，包括在基板上形成沟槽并在沟槽内沉积导通电极，使得该导通电极材料填平沟槽，形成衬底的第一表面；在衬底的第一表面上生长外延层并在相应处制作第一、第二电极。由于第二电极和外延层通过导通电极连接，电流垂直流过外延层，解决了现有技术中电流密度不均匀的问题。

主权项

一种半导体发光器件，包括第一电极、第二电极、外延层和衬底，所述衬底具有相对的第一表面和第二表面，衬底第一表面形成有外延层，外延层的上表面形成有第一电极，其特征在于，所述衬底包括基板和分布于基板中的导通电极，所述外延层电连接于衬底第一表面中的导通电极上，所述第二电极电连接于衬底第二表面中的导通电极上。