纳米管使能、栅极电压控制的发光二极管

摘要

本发明的实施例涉及作为发光晶体管的纵向场效应晶体管。该发光晶体管包括：栅极电极，其用于提供栅极场；第一电极，其包括用于注入电荷的稀释纳米管网络；第二电极，其用于注入互补的电荷；以及电致发光半导体层，其被设置在纳米管网络和电子注入层中间。通过所述栅极场来调制电荷注入。空穴和电子结合而形成光子，从而使得电致发光半导体层发出可见光。在本发明的其他实施例中，采用电极的纵向场效应晶体管包括具有低状态密度的传导性材料，使得晶体管接触势垒调制包括通过费米能级移位而在具有低状态密度的电极与邻近的半导体之间的肖特基接触的势垒高度降低。

主权项

一种发光晶体管，包括：栅极电极，其用于提供栅极场；第一电极，其中所述第一电极包括稀释纳米管网络；电介质层，其被插入在所述栅极电极与所述第一电极之间，第二电极，其用于注入与由所述第一电极注入的电荷互补的电荷；以及电致发光半导体层，其被设置在所述第一电极与所述第二电极之间，其中所述互补的电荷结合而产生光子，并且其中通过所述栅极场来调制所述第一电极与所述电致发光半导体层之间的电荷注入。