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一种化合物半导体之制造方法，系包括下列步骤：制作磊晶结构，系形成包括有一闸极层及一位于该闸极层上方覆盖层之磊晶结构；形成一欧姆接触层，系于该覆盖层上形成一欧姆接触层，该欧姆接触层系供形成复数个汲极与源极区域；定义闸极预备区，系将两相邻汲极与源极区域之间定义为一闸极预备区，各闸极预备区并具有一宽度；形成一元件保护层，系于该欧姆接触层与闸极预备区上沉积一元件保护层，该保护层系具有一高度；形成闸极区，系蚀刻该元件保护层并以欧姆接触层做为一蚀刻停止层，各闸极预备区系于蚀刻后有部分外露并定义为一闸极区，其中各闸极区之宽度系闸极预备区之宽度减掉两倍的元件保护层高度；蚀刻覆盖层，系蚀刻去除该闸极区的覆盖层而显露出闸极层；形成闸极，系于该显露之闸极层上形成一金属层作为闸极；形成一外保护层，系沉积一外保护层覆盖闸极、汲极和源极。如申请专利范围第1项所述化合物半导体之制造方法，该元件保护层具有一高度，而该欧姆接触层具有一厚度，且该元件保护层之高度系远大于该欧姆接触层之厚度。如申请专利范围第1项所述化合物半导体之制造方法，该磊晶结构系于一基底层上依序形成一缓冲层、一通道层、该闸极层以及该覆盖层，其中该闸极层内并包含有一电子提供层。如申请专利范围第1项所述化合物半导体之制造方法，该蚀刻覆盖层之步骤系于欧姆接触层上设置光阻后进行曝光，并于曝光后蚀刻去除该闸极区内的覆盖层而显露出闸极层。如申请专利范围第4项所述化合物半导体之制造方法，该形成闸极步之骤系于该光阻和曝光后的闸极区上沉积一金属层，再将光阻以及光阻上的金属层去除，而留在闸极层上的金属层则供作为闸极区域。如申请专利范围第1至5项中任一项所述化合物半导体之制造方法，于形成一元件保护层步骤和形成闸极区步骤之间进一步包括一进行加热粹火步骤，系进行加热粹火程序，令该欧姆接触层内载子扩散至与连接该通道层。 |
