垂直记录媒体

主权项

一种垂直记录媒体，包含：一基材；一形成于该基材的复合式磁记录膜，具有一第一记录层、一夹置于该第一记录层与该基材之间且厚度是介于0.2 nm~1 nm之间的交互耦合层，及一夹置于该交互耦合层及基材之间的第二记录层，该第一记录层是呈垂直异向性之硬磁性及软磁性其中一者，该第二记录层是呈垂直异向性之硬磁性及软磁性其中另一者，该第一、二记录层藉由该交互耦合层传递交互弹性耦合力形成交互弹性耦合；一夹置于该基材与复合式磁记录膜之间的定向成长辅助膜；及一夹置于该基材与该定向成长辅助膜之间的软磁膜。依据申请专利范围第1项所述之垂直记录媒体，其中，该交互耦合层是选自下列所构成之群组：钌、铼、铑、铬、铜、铂、钯、金、银、铱，及此等之一组合。依据申请专利范围第1项所述之垂直记录媒体，其中，该第一、二记录层的厚度是介于1 nm~40 nm之间。依据申请专利范围第3项所述之垂直记录媒体，其中，该第一记录层的矫顽磁场是大于该第二记录层的矫顽磁场；该第一记录层的厚度是大于该第二记录层的厚度；该第一记录层是呈垂直异向性之硬磁性，该第二记录层是呈垂直异向性之软磁性。依据申请专利范围第4项所述之垂直记录媒体，其中，该第一、二记录层分别是一钴基材料。依据申请专利范围第5项所述之垂直记录媒体，其中，该钴基材料是由一呈六方晶结构的颗粒状磁记录材料所构成；且该第一记录层的厚度是介于15 nm~40 nm之间，该第二记录层的厚度是介于1 nm~15 nm之间。依据申请专利范围第6项所述之垂直记录媒体，其中，该定向成长辅助膜具有一提供该第一、二记录层沿着一垂直于该基材的织构方向呈定向织构且晶体结构为六方晶系的晶种层、一夹置于该软磁膜与晶种层之间并提供该晶种层沿该织构方向成长且呈面心立方晶系的缓冲层，及一夹置于该软磁膜与该缓冲层之间并呈非晶态的中间层。依据申请专利范围第7项所述之垂直记录媒体，其中，该中间层是选自于下列所构成之群组：铽、钆、镝、钽、铪，及此等之一组合。依据申请专利范围第8项所述之垂直记录媒体，其中，该中间层是铽，且该中间层的厚度是介于1 nm~12 nm之间。依据申请专利范围第7项所述之垂直记录媒体，其中，该晶种层是选自下列所构成之群组：钌、钛、铼、锇、铬、锌、锆、鎝、镁、铑、钨及此等之一组合。依据申请专利范围第10项所述之垂直记录媒体，其中，该晶种层的厚度是介于5 nm~40 nm之间。依据申请专利范围第7项所述之垂直记录媒体，其中，该缓冲层是选自于下列所构成之群组：铂、钯、铜、金、银及此等之一组合。依据申请专利范围第1项所述之垂直记录媒体，其中，该软磁膜是由选自于下列所构成之群组的合金所制成：钴锆钽、钴锆铌、钴铁、钴铁氮、钴铁錋、铁钽碳、铁铝矽、镍铁及镍磷。