| 主权项 |
一种半导体电路，包括：一电压侦测器，用以侦测一外部电源电压之准位，产生一电压侦测信号；一频率侦测器，用以侦测一主时脉之频率，产生一频率侦测信号；以及一信号调整单元，接收一第一信号，并根据上述电压侦测信号以及上述频率侦测信号，选择一对应之调整参数，藉以调整上述第一信号，其中上述调整参数系为放大倍率。如申请专利范围第1项所述之半导体电路，其中上述信号调整单元包括复数调整单元，并且上述调整单元具有不同之调整参数。如申请专利范围第2项所述之半导体电路，其中上述信号调整单元系根据上述电压侦测信号以及上述频率侦测信号，选择性地使用上述复数调整单元中之一者，以便调整上述第一信号。如申请专利范围第1项所述之半导体电路，其中上述电压侦测器系包括：一分压单元，耦接于上述外部电源电压与一接地电压之间，用以产生一分压电压；以及一比较单元，用以比较上述分压电压与一内部参考电压，以便产生具有不同逻辑准位之上述电压侦测信号。如申请专利范围第1项所述之半导体电路，其中上述半导体电路系设置于一晶片之一核心逻辑单元中。一种半导体记忆模组，包括：一时脉产生器，用以产生一主时脉；以及一核心逻辑单元，直接由一外部电源电压所供电，且包括：一电压侦测器，用以侦测上述外部电源电压之准位，产生一电压侦测信号；一频率侦测器，用以侦测上述主时脉之频率，产生一频率侦测信号；以及一信号调整单元，用以接收一第一信号并根据上述电压侦测信号以及上述频率侦测信号，得出上述核心逻辑单元目前所在之工作区，并选择一对应之调整参数，藉以调整上述第一信号，其中上述调整参数系为放大倍率。如申请专利范围第6项所述之半导体记忆模组，其中上述信号调整单元包括复数调整单元，并且上述调整单元具有不同之调整参数。如申请专利范围第7项所述之半导体记忆体模组，其中上述信号调整单元系根据上述电压侦测信号以及上述频率侦测信号，选择性地使用上述复数组调整单元中之一者，以便调整上述第一信号。如申请专利范围第6项所述之半导体记忆模组，其中上述电压侦测器系包括：一分压单元，耦接于上述外部电源电压与一接地电压之间，用以产生一分压电压；以及一比较单元，用以比较上述分压电压与一内部参考电压，以便产生具有不同逻辑准位之上述电压侦测信号。如申请专利范围第6项所述之半导体记忆模组，其中上述半导体记忆模组系为一半导体记忆装置。如申请专利范围第6项所述之半导体记忆模组，其中上述半导体记忆装置系为一动态随机存取记忆体。一种信号调整方法，包括：侦测一晶片之一外部电源电压之准位，产生一电压侦测信号；侦测上述晶片之一主时脉之频率，产生一频率侦测信号；根据上述电压侦测信号以及上述频率侦测信号，得出上述晶片之一工作区；以及根据所得出之该工作区，选择性地使用复数调整参数中之一者，对上述晶片内之一第一信号进行调整，其中上述调整参数系为放大倍率。 |
