| 主权项 |
一种液晶显示装置之制备方法，其步骤包括：(a)提供一形成有一透明电极层与一第一金属层之基板，其中该透明电极层系位于该第一金属层与该基板之间；(b)以第一道光罩定义出包含薄膜二极体结构区与像素区之区域；(c)依序形成一第一绝缘层与一第二金属层于基板上，其中该第一绝缘层系位于该第二金属层与该第一金属层之间；以及(d)以第二道光罩定义出一薄膜二极体结构区与一像素区，并移除该像素区上之该第二金属层、该第一绝缘层、以及该第一金属层，暴露出该透明电极层。如申请专利范围第1项所述之制备方法，其中该步骤(a)中之该基板更包括有一第二绝缘层，形成于该第一金属层上。如申请专利范围第1项所述之制备方法，其中该透明电极层为铟锡氧化物(ITO)或铟锌氧化物(IZO)。如申请专利范围第1项所述之制备方法，其中该步骤(b)中更同时定义出一图案化之讯号线。如申请专利范围第1项所述之制备方法，其中该步骤(b)中之该薄膜二极体结构区，系重叠于部分该图案化之讯号线上。如申请专利范围第1项所述之制备方法，其中该第一金属层与该第二金属层分别为一低电阻金属层。如申请专利范围第6项所述之制备方法，其中该低电阻金属层为钽金属层。如申请专利范围第1项所述之制备方法，其中该第一绝缘层为SiNx。如申请专利范围第1项所述之制备方法，其完成之液晶显示装置之同一画素上，不同之该薄膜二极体结构区，系重叠于不同之讯号线上。一种液晶显示装置之制备方法，其步骤包括：(a)提供一形成有一透明电极层、一第一金属层、与第一绝缘层之基板，其中该透明电极层系位于该第一金属层与该基板之间，且该第一金属层系位于该第一绝缘层与该透明电极层之间；(b)以第一道光罩定义出包含薄膜二极体结构区与像素区之区域；(c)全面形成一绝缘层，并暴露出该包含薄膜二极体结构区与像素区之区域；(d)形成一第二金属层于该绝缘层与该包含薄膜二极体结构区与像素区之区域上；以及(e)以第二道光罩定义出一薄膜二极体结构区与一像素区，并移除该像素区上之该第二金属层、该第一绝缘层、以及该第一金属层，使暴露出该透明电极层。如申请专利范围第10项所述之制备方法，其中该步骤(a)中之该基板更包括有一第二绝缘层，形成于该第一金属层上。如申请专利范围第10项所述之制备方法，其中该透明电极层为铟锡氧化物(ITO)或铟锌氧化物(IZO)。如申请专利范围第10项所述之制备方法，其中该步骤(b)中更同时定义出一图案化之讯号线。如申请专利范围第10项所述之制备方法，其中该步骤(b)中之该薄膜二极体结构区，系重叠于部分该图案化之讯号线上。如申请专利范围第10项所述之制备方法，其中该第一金属层与该第二金属层分别为一低电阻金属层。如申请专利范围第15项所述之制备方法，其中该低电阻金属层为钽金属层。如申请专利范围第10项所述之制备方法，其中该第一绝缘层为SiNx。如申请专利范围第10项所述之制备方法，其中该步骤(c)中，该绝缘层系以背面曝光之方式定义，而暴露出该包含薄膜二极体结构区与像素区之区域。如申请专利范围第10项所述之制备方法，其中该步骤(c)中，该绝缘层为氮化矽，二氧化矽，正型光阻或是负型光阻。如申请专利范围第10项所述之制备方法，其完成之液晶显示装置下基板之同一画素上，不同之该薄膜二极体结构区，系重叠于不同之讯号线上。 |
