| 主权项 |
一种用于基板分离沈积以于该基板上形成型样之遮罩装置，该遮罩装置包括：至少一遮罩，该遮罩有一用于在该基板假想分成之两个或多个区域之任何一区域中形成型样之已被型样化表面，使有机材料被蒸发得经由遮罩并于基板沉积而形成型样。如申请专利范围第1项所述之遮罩装置，其中该遮罩包括：一第一遮罩，其具有一用于在该基板假想分成之两个或多个区域之任何一区域中形成型样之已被型样化表面；及一第二遮罩，其具有一用于在该基板之另一区域中形成型样之已被型样化表面。如申请专利范围第2项所述之遮罩装置，其中该第一遮罩之该已被型样化表面之面积与该第二遮罩之面积相同。如申请专利范围第2项所述之遮罩装置，其中该第一遮罩之该已被型样化表面之面积与该第二遮罩之面积不同。如申请专利范围第2项所述之遮罩装置，其中该等第一与第二遮罩安装于一相同腔体中，且该遮罩装置具有一能水平传送该等第一与第二遮罩之传送构件。如申请专利范围第2项所述之遮罩装置，其中该等第一与第二遮罩安装于一不同腔体中。如申请专利范围第2项所述之遮罩装置，其中该等第一与第二遮罩之该等已被型样化表面具有与分别形成于该基板之一上部区域与一下部区域上形成之型样相同之型样。如申请专利范围第2项所述之遮罩装置，其中该等第一与第二遮罩之该等已被型样化表面具有与分别形成于该基板之一左区域与一右区域上形成之型样相同之型样。如申请专利范围第2所述项之遮罩装置，其中该等第一与第二遮罩配备有使该等遮罩与该基板对准之对准标志。如申请专利范围第1项所述之遮罩装置，其中该遮罩被焊接至一框架，且该遮罩被焊接至该框架处之焊接接头可形成于该已被型样化表面之下。如申请专利范围第10项所述之遮罩装置，其中该框架以如此一方式形成，即该框架上表面之一外侧低于其一内侧。如申请专利范围第11项所述之遮罩装置，其中该框架上表面有一向下、向外倾斜之锥形部分。如申请专利范围第11项所述之遮罩装置，其中该框架上表面有一向下、向外延伸之弯曲部分。如申请专利范围第10项所述之遮罩装置，其中该等焊接接头形成于该框架之一外壁上。一种于一基板上分离形成型样之方法，其包括以下步骤：1)准备第一与第二遮罩，每一遮罩有一用于在该基板假想分成之两个或多个区域之其中一区域中形成型样之已被型样化表面；2)使该第一遮罩紧密接触该基板，以在该基板其中之一区域中形成型样；及3)使该第二遮罩紧密接触该基板，以在该基板之另一区域中形成型样。如申请专利范围第15项所述之方法，其中步骤2)与3)可于同一腔体内实施。如申请专利范围第15项所述之方法，其中步骤2)与3)可分别于不同的腔体内实施。一种于一基板上分离形成一预定型样以于该基板上重覆形成该型样之方法，包括以下步骤：1)准备一遮罩，该遮罩具有一与该预定型样相对应之已被型样化表面；2)使该遮罩接触该基板其中之一区域，以在该区域上形成该预定型样；及3)使该遮罩接触该基板另一区域，以在该另一区域上形成该预定型样。如申请专利范围第18项所述之方法，其中步骤3)于该遮罩被水平传送后实施。如申请专利范围第18项所述之方法，其中步骤3)于该遮罩被旋转后实施。 |
