发明名称 非挥发性记忆体之安全保密架构及方法
摘要
申请公布号 TWI331338 申请公布日期 2010.10.01
申请号 TW096102108 申请日期 2007.01.19
申请人 盛群半导体股份有限公司 发明人 林春安;董景中
分类号 G11C16/22 主分类号 G11C16/22
代理机构 代理人 刘纪盛 台北市信义区松德路171号2楼;谢金原 台北市信义区松德路171号2楼
主权项 一种非挥发性记忆体之安全保密架构,其系包括有:一位址编码选择器,与非挥发性记忆体做一电性连接,而利用选择的方式来选定一种编码电路,让位址信号产生器送来的位址可以被编成另一个位址,并储存已经过编码的位址至该非挥发性记忆体,该位址信号产生器之密码档格式包括有:标头、唯读记忆体之位址和资料、遮罩选项之三块区域;一资料解码选择器,与非挥发性记忆体做一电性连接,而利用选择的方式来选定一种解码电路,让非挥发性记忆体经由一资料编码器编码所产生资料可被正确的解码,而回复成正确的指令,该资料编码器之密码档格式包括有:标头、唯读记忆体之位址和资料、遮罩选项之三块区域;以及一非挥发性记忆体,储存已经由该位址信号产生器编码的位址和该资料编码器所产生的资料。如申请专利范围第1项所述之非挥发性记忆体之安全保密架构,其中该非挥发性记忆体种类系包括有:光罩唯读记忆体、电子抹除式唯读记忆体、抹除式唯读记忆体、快闪记忆体。如申请专利范围第1项所述之非挥发性记忆体之安全保密架构,其中该编码电路可以有1至N种选择,且N是大于等于2的整数。如申请专利范围第1项所述之非挥发性记忆体之安全保密架构,其中该解码电路可以有1至M种选择,M是大于等于2的整数。如申请专利范围第1项所述之非挥发性记忆体之安全保密架构,其中该位址编码选择器更包括有一位址编码反多工器及一位址编码多工器。如申请专利范围第1项所述之非挥发性记忆体之安全保密架构,其中该资料解码选择器更系包括有一资料解码反多工器及一资料解码多工器。如申请专利范围第1项所述之非挥发性记忆体之安全保密架构,其中该位址编码器更系包括有若干个正确编码器及若干个错误编码器。如申请专利范围第1项所述之非挥发性记忆体之安全保密架构,其中该资料解码器更系包括有若干个正确解码器及若干个错误解码器。一种非挥发性记忆体之安全保密架构,其系包括有:一位址编码选择器,与非挥发性记忆体做一电性连接,而利用选择的方式来选定一种编码电路,让位址信号产生器送来的位址可以被编成另一个位址,该编码电路可以有1至N种选择,且N是大于等于2的整数,该位址信号产生器之密码档格式包括有:标头、唯读记忆体之位址和资料、遮罩选项之三块区域;一资料解码选择器,与非挥发性记忆体做一电性连接,而利用选择的方式来选定一种解码电路,让非挥发性记忆体经由一资料编码器编码所产生资料可被正确的解码,而回复成正确的指令,该解码电路可以有1至M种选择,M是大于等于2的整数,该资料编码器之密码档格式包括有:标头、唯读记忆体之位址和资料、遮罩选项之三块区域;以及一非挥发性记忆体,储存已经由该位址信号产生器编码的位址和该资料编码器所产生的资料,尤指一唯读记忆体(ROM)。一种非挥发性记忆体之安全保密方法,其系由一位址编码选择器、一资料解码选择器与一非挥发性记忆体所构成,该位址编码选择器包含有一位址信号产生器,该位址信号产生器之密码档格式包括有:标头、唯读记忆体之位址和资料、遮罩选项之三块区域;且资料解码选择器包含有一资料编码器,该资料编码器之密码档格式包括有:标头、唯读记忆体之位址和资料、遮罩选项之三块区域,利用编码对该非挥发性记忆体的位址和资料作加密的动作,并配合该位址编码选择器和该资料解码选择器的操作,令程式窃取者即使拥有非法取得的唯读记忆体之位址和资料,却因无法得知位址编码和资料解码的选择为何,而无法使积体电路正常工作,达到防制唯读记忆体内的程式被窃取的目的。如申请专利范围第10项所述之非挥发性记忆体之安全保密方法,其中位址编码选择器的编码种类可以分为正确编码和错误编码两种。如申请专利范围第10项所述之非挥发性记忆体之安全保密方法,其中资料解码选择器的解码种类可以分为正确编码和错误编码两种。
地址 新竹市科学工业园区研新二路3号
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