发明名称 用于锁相回路具有快速开关反应速度之串级耦合电荷泵
摘要
申请公布号 TWI331449 申请公布日期 2010.10.01
申请号 TW096131871 申请日期 2007.08.28
申请人 立积电子股份有限公司 发明人 张瑞裕
分类号 H03K19/0175 主分类号 H03K19/0175
代理机构 代理人 吴丰任 台北县永和市福和路389号6楼之3;戴俊彦 台北县永和市福和路389号6楼之3
主权项 一种电压泵,包含有:一串级耦合金氧半导体(MOS)电晶体电流镜,包含有一列串级耦合MOS电晶体;该列串级耦合MOS电晶体之一第一电晶体,用来依据一第一控制讯号控制该电荷泵之输出;该列串级耦合MOS电晶体之一第二电晶体,耦接于该第一电晶体之汲极与该列串级耦合MOS电晶体之一第三电晶体之源极间,该第三电晶体之汲极系耦接于该电荷泵之一输出端;一第一电容,具有一第一终端以及一第二终端,该第一终端耦接于该第三电晶体之源极,该第二终端耦接于该第二电晶体之源极;及一第一开关,耦接于该第二电晶体之源极与接地端间,该第一开关由一第二控制讯号控制,该第二控制讯号系为该第一控制讯号之反相讯号。一种电荷泵,包含:一第一开关,耦接于一第一电压源与一第一节点之间,该第一开关由一第一控制讯号控制;一第二开关,耦接于该第一节点与一第二节点间;一第三开关,耦接于该第二节点与一第三节点间,该第三节点耦接于该电荷泵之一输出端;一第四开关,耦接于该第三节点与一第四节点间;一第五开关,耦接于该第四节点与一第五节点间;一第六开关,耦接于该第五节点与接地端间,该第六开关由一第二控制讯号控制;一第一电容,耦接于该第二节点与一第一电压讯号间;以及一第二电容,耦接于该第四节点与一第二电压讯号间;其中该第一电压讯号系为该第一节点。如请求项2所述之电荷泵,其中该第二电压讯号系为该第五节点。一种电荷泵,包含:一第一开关,耦接于一第一电压源与一第一节点之间,该第一开关由一第一控制讯号控制;一第二开关,耦接于该第一节点与一第二节点间;一第三开关,耦接于该第二节点与一第三节点间,该第三节点耦接于该电荷泵之一输出端;一第四开关,耦接于该第三节点与一第四节点间;一第五开关,耦接于该第四节点与一第五节点间;一第六开关,耦接于该第五节点与接地端间,该第六开关由一第二控制讯号控制;一第七开关,耦接于该接地端与该第一节点间,该第七开关系由一第三控制讯号控制,且该第三控制讯号系为该第一控制讯号之反相讯号;一第八开关,耦接于一第二电压源与该第五节点间,该第八开关系由一第四控制讯号控制,且该第四控制讯号系为该第二控制讯号之反相讯号;一第一电容,耦接于该第二节点与该第一节点间;以及一第二电容,耦接于该第四节点与该第五节点间。如请求项4所述之电荷泵,其中该第一、第二、第三以及第七开关系为第一型金氧半导体(Metal Oxide Semiconductor,MOS)电晶体,该第四、第五、第六以及第八开关系为与该第一型金氧半导体电晶体相异之第二型金氧半导体(Metal Oxide Semiconductor,MOS)电晶体。如请求项5所述之电荷泵,其中该第一型金氧半导体电晶体系为P-MOS电晶体,该第二型金氧半导体电晶体系为N-MOS电晶体。如请求项5所述之电荷泵,其中该第一开关之汲极系耦接于该第二开关之源极,该第二开关之汲极系耦接于该第三开关之源极,该第三开关之汲极系耦接于该第四开关之汲极,该第四开关之源极系耦接于该第五开关之汲极,该第五开关之源极系耦接于该第六开关之汲极,该第七开关之源极系耦接于该第一节点,该第七开关之汲极系耦接于该接地端,该第八开关之源极系耦接于该第五节点,以及该第八开关之汲极系耦接于一电压源。
地址 台北市内湖区堤顶大道2段407巷20弄1号3楼