| 主权项 |
一种制作一半导体元件的方法，其包括：提供一基板；于该基板上形成一非晶矽层；于该非晶矽层上形成一保热层；图案化该保热层；照射该已图案化的保热层：以及利用该已图案化的保热层作为遮罩来移除部份该非晶矽层。如申请专利范围第1项所述之一种制作一半导体元件的方法，其进一步包括于形成该非晶矽层以前先于该基板上形成一缓冲层。如申请专利范围第1项所述之一种制作一半导体元件的方法，其进一步包括利用矽的氮氧化物来形成该保热层。如申请专利范围第1项所述之一种制作一半导体元件的方法，其进一步包括利用准分子雷射或YAG雷射来照射该已图案化的保热层。如申请专利范围第1项所述之一种制作一半导体元件的方法，其进一步包括以约1%的照射位置重叠来照射该已图案化的保热层。如申请专利范围第1项所述之一种制作一半导体元件的方法，其进一步包括于图案化该保热层中在非晶矽层上决定一初始成长部位。如申请专利范围第1项所述之一种制作一半导体元件的方法，其进一步包括：于该剩余的非晶矽层中形成一第一扩散区；以及于该剩余的非晶矽层中形成一第二扩散区，与该第一扩散区隔开。如申请专利范围第1项所述之一种制作一半导体元件的方法，其进一步包括：于该剩余的非晶矽层中形成一第一扩散区；于该剩余的非晶矽层中形成一第二扩散区，与该第一扩散区隔开；以及于该剩余的非晶矽层中形成一第三扩散区，位于该等第一与第二扩散区之间且与该等第一与第二扩散区隔开。如申请专利范围第1项所述之一种制作一半导体元件的方法，其进一步包括提供该基板，其包含晶圆、石英、玻璃、塑胶、或金属箔中其中一者。一种制作一半导体元件的方法，其包括：提供一基板；于该基板上形成一缓冲层；于该缓冲层上形成一非晶矽层；于该非晶矽层上形成一保热层；图案化该保热层；利用雷射来照射该非晶矽层与该已图案化的保热层；以及利用该已图案化的保热层作为遮罩来移除部份该非晶矽层。如申请专利范围第10项所述之一种制作一半导体元件的方法，其进一步包括以约1%的照射位置重叠，相对于该已图案化的保热层来移动该雷射。如申请专利范围第10项所述之一种制作一半导体元件的方法，其进一步包括利用矽的氮氧化物来形成该保热层。如申请专利范围第10项所述之一种制作一半导体元件的方法，其进一步包括于图案化该保热层中在非晶矽层上决定一初始成长部位。一种制作一半导体元件的方法，其包括：于一基板上形成一非晶矽层；于该非晶矽层上形成一保热层；图案化该保热层；照射该非晶矽层与该保热层；以及利用该已图案化的保热层作为遮罩来移除部份该非晶矽层。如申请专利范围第14项所述之一种制作一半导体元件的方法，其进一步包括利用矽的氮氧化物来形成该保热层。如申请专利范围第14项所述之一种制作一半导体元件的方法，其进一步包括于图案化该保热层中在非晶矽层上决定一初始成长部位。如申请专利范围第14项所述之一种制作一半导体元件的方法，其进一步包括：利用雷射来照射该非晶矽层与该保热层；以及以约1%的照射位置重叠，相对于该非晶矽层与该已图案化的保热层来移动该雷射。 |
