补偿电路与具有该补偿电路的记忆体

主权项

一种补偿电路，包括：一写入驱动电路，提供一写入电流至一写入路径；一距离侦测电路，耦接该写入路径，侦测该写入电流流经的路径长度，并输出一控制信号；一操作元件，耦接该写入路径；以及一辅助驱动电路，根据该控制信号，用以提供一辅助电流至该写入路径。如申请专利范围第1项所述之补偿电路，其中更包括一选择器，受控于一导通信号，用以决定该写入电流是否流经该操作元件。如申请专利范围第1项所述之补偿电路，其中该距离侦测电路侦测该写入路径的电阻值而产生的一电压，当该电压大于一预定值时，该辅助驱动电路输出该辅助电流至该写入路径。如申请专利范围第1项所述之补偿电路，其中该距离侦测电路根据该写入路径产生的一电压，查询一电压电流对照表，并输出对应的该控制信号，用以控制该辅助电流的大小。如申请专利范围第1项所述之补偿电路，其中该距离侦测电路更提供一比较电流，当该写入电流不同于该比较电流时，输出该控制信号。如申请专利范围第5项所述之补偿电路，其中该距离侦测电路更包括一电流镜电路，用以复制该写入电流。如申请专利范围第5项所述之补偿电路，其中该控制信号为一低电压信号。如申请专利范围第1项所述之补偿电路，其中该辅助驱动电路为一电流复制电路，根据一参考电流与一参数，输出该辅助电流，其中该辅助电流与该参考电流具有倍数关系。如申请专利范围第8项所述之补偿电路，其中该参考电流为该写入电流。如申请专利范围第1项所述之补偿电路，其中该操作元件系为记忆胞、有机发光二极体或薄膜电晶体液晶显示器。如申请专利范围第10项所述之补偿电路，其中该记忆胞系为相变化记忆胞。一种具有补偿电路的记忆体，包括：复数个写入路径，其中每个写入路径耦接复数个记忆胞；一写入驱动电路，提供一写入电流至一第一写入路径；复数个第一选择器，耦接该等写入路径，根据一第一控制信号决定该写入电流是否流经该等写入路径中的一个；一距离侦测电路，耦接该第一写入路径，侦测该写入电流流经的路径长度，并输出一电流补偿信号；以及一辅助驱动电路，根据该电流补偿信号，用以提供一辅助电流至该第一写入路径。如申请专利范围第12项所述之具有补偿电路的记忆体，其中更包括复数个第二选择器，耦接该等写入路径，根据一第二控制信号决定该写入电流是否流经耦接该第一写入路径的该等记忆胞中的一个。如申请专利范围第12项所述之具有补偿电路的记忆体，其中该距离侦测电路侦测该第一写入路径产生的一电压，当该电压大于一预定值时，该辅助驱动电路输出该辅助电流至该第一写入路径。如申请专利范围第12项所述之具有补偿电路的记忆体，其中该距离侦测电路根据该第一写入路径产生的一电压，查询一电压电流对照表，并输出对应的该电流补偿信号，用以控制该辅助电流的大小。如申请专利范围第12项所述之具有补偿电路的记忆体，其中该距离侦测电路更提供一比较电流，当该写入电流不同于该比较电流时，输出该电流补偿信号。如申请专利范围第16项所述之具有补偿电路的记忆体，其中该距离侦测电路更包括一电流镜电路，用以复制该写入电流。如申请专利范围第16项所述之具有补偿电路的记忆体，其中该电流补偿信号为一低电压信号。如申请专利范围第12项所述之具有补偿电路的记忆体，其中该辅助驱动电路为一复制电路，根据一参考电流与一参数，输出该辅助电流，其中该辅助电流与该参考电流具有倍数关系。如申请专利范围第19项所述之具有补偿电路的记忆体，其中该参考电流为该写入电流。如申请专利范围第12项所述之具有补偿电路的记忆体，其中该距离侦测电路透过一写入路径选择器并根据该第一控制信号来选择该第一写入路径。如申请专利范围第12项所述之具有补偿电路的记忆体，其中辅助驱动电路透过一写入路径选择器并根据该第一控制信号来选择该第一写入路径。如申请专利范围第12项所述之具有补偿电路的记忆体，其中该等记忆胞系为相变化记忆胞。